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Re: [心得] GN 13、14代問題影片重點整理

看板PC_Shopping (個人電腦購買)作者 (HP都陷入內戰中)時間2月前 (2024/07/21 19:28), 編輯推噓82(83推 1噓 159→)
留言243則, 60人參與, 2月前最新討論串1/2 (看更多)
※ 引述《mrme945 ()》之銘言： 做 : 檢驗(Failure Analysis)的結果出來之後才知道可能的原因 : 以下為前述大客戶內線流出關於此故障事件的敘述： : -這次事件的根源，是作為抗氧化的隔離塗層氮化鉭(TaN)在原 : 子層沉積(Atomic Layer Deposition, ALD)的過程中出錯了， : 造成CPU當中via裡的純銅氧化，使得電阻提升，並造成後續故 : 障*** TaN一般是叫做擴散阻障層 主要作用是防止銅與矽直接接觸 形成銅矽化合物 抗氧化很少聽過 ALD是一種化學氣象沉積 算一種通化學氣體沉積方法 假設這一步出錯 導致部分Ta被氧化 那他的電性應該出廠前就驗出異常 應該不會用了好幾個月後才劣化 假設他有部分氧氣吸附在TaN上 之後再鍍銅那些少量的氧應該也是很快反應掉 另外就是擴散阻障層太薄或不夠緻密 導致IMD(通常是氧化矽）中的氧慢慢滲透進去造成氧化～～但這可能性我覺得不高 因為通常這樣 應該會先形成銅矽化合物（這樣應該會整顆燒掉） 如果隨時間導致電阻升高 那電致遷移有可能～～ 不過這應該再RA測試中被抓出來 不過RA我記得都要測好幾個月 可能intel太急了沒做確實吧 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 36.234.193.88 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/PC_Shopping/M.1721561302.A.EC5.html
推
07/21 19:44, 2月前 , 1F
確實 我也是這麼想的
07/21 19:44, 1F
推
07/21 19:47, 2月前 , 2F
跟我想得差不多(瞎說
07/21 19:47, 2F
→
07/21 19:47, 2月前 , 3F
不過我寫出來的部份是我以為我有聽懂的部
07/21 19:47, 3F
→
07/21 19:47, 2月前 , 4F
分，結果也是錯的嗎XD
07/21 19:47, 4F
推
07/21 19:52, 2月前 , 5F
想超車GG超到翻車了吧
07/21 19:52, 5F
推
07/21 19:55, 2月前 , 6F
所以..是QA流程有問題或QC造假數據嗎？
07/21 19:55, 6F
→
07/21 19:56, 2月前 , 7F
如果他IMD材料換成不含矽的也須有可能
07/21 19:56, 7F
→
07/21 19:57, 2月前 , 8F
慢慢氧化吧～～
07/21 19:57, 8F
推
07/21 20:04, 2月前 , 9F
這個不知道能不能提出集體訴訟 intel可能
07/21 20:04, 9F
→
07/21 20:04, 2月前 , 10F
一次倒閉
07/21 20:04, 10F
推
07/21 20:09, 2月前 , 11F
波音當年鬧出人命都沒倒了… Intel要倒
07/21 20:09, 11F
→
07/21 20:09, 2月前 , 12F
還很遠吧，何況現在還是美國命根子
07/21 20:09, 12F
推
07/21 20:16, 2月前 , 13F
美國政府不會讓他倒
07/21 20:16, 13F
噓
07/21 20:16, 2月前 , 14F
G叔：趕出貨喇！沒時間！！
07/21 20:16, 14F
→
07/21 20:16, 2月前 , 15F
07/21 20:16, 15F
→
07/21 20:18, 2月前 , 16F
就是製成不穩定就上了
07/21 20:18, 16F
→
07/21 20:24, 2月前 , 17F
不是說送實驗室了，等實驗室的報告出
07/21 20:24, 17F
→
07/21 20:24, 2月前 , 18F
來吧
07/21 20:24, 18F
推
07/21 20:28, 2月前 , 19F
是QR, 可靠度不行.
07/21 20:28, 19F
推
07/21 20:31, 2月前 , 20F
我也記得Ta/TaN是這樣..
07/21 20:31, 20F
推
07/21 20:32, 2月前 , 21F
不過我記得也確實是有直接被電死的案例
07/21 20:32, 21F
→
07/21 20:32, 2月前 , 22F
當初看是說以為電壓電太高被直接電死
07/21 20:32, 22F
→
07/21 20:32, 2月前 , 23F
現在看...可能真的要查一下才能確定原因
07/21 20:32, 23F
推
07/21 20:33, 2月前 , 24F
如果是因為氮化鉭中的一些雜質(反應前驅物
07/21 20:33, 24F
→
07/21 20:34, 2月前 , 25F
在長時間高壓下電遷移呢
07/21 20:34, 25F
→
07/21 20:37, 2月前 , 26F
07/21 20:37, 26F
→
07/21 20:38, 2月前 , 27F
要是i4的barrier出問題我還覺得比
07/21 20:38, 27F
→
07/21 20:38, 2月前 , 28F
較合理
07/21 20:38, 28F
→
07/21 20:38, 2月前 , 29F
i7到i7u的主要變化就是cpp
07/21 20:38, 29F
推
07/21 20:44, 2月前 , 30F
真出事I社不會倒閉拉，會重傷接著考慮
07/21 20:44, 30F
→
07/21 20:44, 2月前 , 31F
學AMD重整然後裁掉晶圓製造只留設計
07/21 20:44, 31F
推
07/21 20:47, 2月前 , 32F
2023Q4 desktop CPU總出貨量約66M顆
07/21 20:47, 32F
推
07/21 20:47, 2月前 , 33F
要裁FAB早裁了，別講做不到的事
07/21 20:47, 33F
→
07/21 20:48, 2月前 , 34F
招回數量在8M以上 對供給影響如何?
07/21 20:48, 34F
→
07/21 20:48, 2月前 , 35F
痾 FAB這次算試圖自裁
07/21 20:48, 35F
推
07/21 20:49, 2月前 , 36F
假裝良率很高
07/21 20:49, 36F
→
07/21 20:49, 2月前 , 37F
別說辦不到 財報分出來表列 算風向球
07/21 20:49, 37F
→
07/21 20:52, 2月前 , 38F
我覺得要先排除pcb彎曲有沒有影響
07/21 20:52, 38F
→
07/21 20:52, 2月前 , 39F
再去調查u的內部有沒有oxidation，
07/21 20:52, 39F
還有 164 則推文
→
07/22 01:38, 2月前 , 204F
這就是這次事件的困難了，大家都在找原因
07/22 01:38, 204F
→
07/22 01:38, 2月前 , 205F
，但是各種錯誤都會發生，而且很難複現相
07/22 01:38, 205F
→
07/22 01:38, 2月前 , 206F
同錯誤，所以很難查
07/22 01:38, 206F
→
07/22 01:40, 2月前 , 207F
CVD又不是什麼高科技 打太薄都不量的喔
07/22 01:40, 207F
推
07/22 01:44, 2月前 , 208F
ALD每次只會長單層原子(or分子) 跟普通CV
07/22 01:44, 208F
→
07/22 01:44, 2月前 , 209F
D直接長厚厚一大層的情況還是不一樣吧
07/22 01:44, 209F
→
07/22 01:45, 2月前 , 210F
要鑑定單層膜的完整/可靠性是簡單的事嗎?
07/22 01:45, 210F
→
07/22 03:43, 2月前 , 211F
講GN是網紅在帶風向真的笑死
07/22 03:43, 211F
推
07/22 04:29, 2月前 , 212F
其實上TEM多切幾片看defect即可，要有這
07/22 04:29, 212F
→
07/22 04:29, 2月前 , 213F
麼大的斷訊，找特定幾個已經破裂或即將
07/22 04:29, 213F
→
07/22 04:29, 2月前 , 214F
破裂的接點看微觀應該就能知道究竟阻障
07/22 04:29, 214F
→
07/22 04:29, 2月前 , 215F
層有沒有問題
07/22 04:29, 215F
推
07/22 04:37, 2月前 , 216F
看現在比較像介面沒做好，介面電遷移過
07/22 04:37, 216F
→
07/22 04:37, 2月前 , 217F
快產生缺陷導致電阻提升，所以高階晶片
07/22 04:37, 217F
→
07/22 04:37, 2月前 , 218F
電壓越高遷移加速性能衰減
07/22 04:37, 218F
→
07/22 04:37, 2月前 , 219F
現在就看低階晶片過陣子會不會一樣，如
07/22 04:37, 219F
→
07/22 04:37, 2月前 , 220F
果一樣那應該是產線整道製程機台或設定
07/22 04:37, 220F
→
07/22 04:37, 2月前 , 221F
全出問題才會有這麼大規模的狀況
07/22 04:37, 221F
推
07/22 06:41, 2月前 , 222F
外文YT多少都有提到這次事件，中文直接
07/22 06:41, 222F
→
07/22 06:41, 2月前 , 223F
全部噤聲
07/22 06:41, 223F
推
07/22 07:12, 2月前 , 224F
intel 7又不是PAT主導的
07/22 07:12, 224F
推
07/22 07:15, 2月前 , 225F
20A Q4登場
07/22 07:15, 225F
推
07/22 07:18, 2月前 , 226F
之前sapphire rapids有瑕批intel都有招
07/22 07:18, 226F
→
07/22 07:19, 2月前 , 227F
回產品這次有賠錢給OEM跟ODM客戶瑕批品
07/22 07:19, 227F
→
07/22 07:20, 2月前 , 228F
最後還是會RMA了事
07/22 07:20, 228F
→
07/22 09:33, 2月前 , 229F
Q4能出來的是N3B吧 20A應該要明年初了
07/22 09:33, 229F
推
07/22 11:33, 2月前 , 230F
intel頂多大賠,賠償分期付,不會倒的
07/22 11:33, 230F
推
07/22 13:54, 2月前 , 231F
原因說不定很簡單就是一直電加上長
07/22 13:54, 231F
→
07/22 13:54, 2月前 , 232F
期高溫原本舊的設計 扛不住這種高溫高
07/22 13:54, 232F
→
07/22 13:54, 2月前 , 233F
壓~
07/22 13:54, 233F
→
07/22 14:27, 2月前 , 234F
1伏特的電遷移跑不遠。
07/22 14:27, 234F
推
07/22 15:46, 2月前 , 235F
所以首批跟前幾批沒事嗎
07/22 15:46, 235F
推
07/22 18:04, 2月前 , 236F
arrowlake有20A N3B intel 3 幾種製程
07/22 18:04, 236F
推
07/22 18:08, 2月前 , 237F
intel 7本身製程並沒問題11代筆電那麼久
07/22 18:08, 237F
→
07/22 18:10, 2月前 , 238F
原因可能在於生產流程中有一道製程被
07/22 18:10, 238F
→
07/22 18:11, 2月前 , 239F
雜質或者其它因素汙染導致晶片瑕批
07/22 18:11, 239F
→
07/22 18:13, 2月前 , 240F
晶片檢驗並不嚴格或者有人故意造假數據
07/22 18:13, 240F
→
07/22 18:14, 2月前 , 241F
讓瑕批品過關等等
07/22 18:14, 241F
→
07/22 18:15, 2月前 , 242F
故障分析跟品保部門可能會被清算
07/22 18:15, 242F
推
07/23 06:27, 2月前 , 243F
專業
07/23 06:27, 243F
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