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討論串[心得] GN 13、14代問題影片重點整理
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Re: [心得] GN 13、14代問題影片重點整理
推噓82(83推 1噓 159→)留言243則，0人參與, 1月前最新作者a1106abc (HP都陷入內戰中)時間1月前 (2024/07/21 19:28), 編輯資訊
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做TaN一般是叫做擴散阻障層. 主要作用是防止銅與矽直接接觸. 形成銅矽化合物. 抗氧化很少聽過. ALD是一種化學氣象沉積. 算一種通化學氣體沉積方法. 假設這一步出錯. 導致部分Ta被氧化. 那他的電性應該出廠前就驗出異常. 應該不會用了好幾個月後才劣化. 假設他有部分氧氣吸附在TaN上. 之後
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Re: [心得] GN 13、14代問題影片重點整理
推噓57(58推 1噓 131→)留言190則，0人參與, 1月前最新作者AquariusZi (AZ)時間1月前 (2024/07/22 23:54), 編輯資訊
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剛看完GN的影片，小弟我想從另一個角度來聊聊. 一般半導體廠是怎麼做FA/RA/解issue的. 以下長文，且為了方便理解會忽略許多細節與大量相對不準確用語. 各路大神若不吝指教，先萬分感謝~~. 依我個人的經驗，當產品出問題時，基本有三條主線要解. 1.為什麼會發生，真因(root cause)是
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