Re: [請益] CPU的電壓問題
※ 引述《hoffman333 (hoffman)》之銘言:
: 請問一下CPU的電壓高低除了會影響
: 溫度的高低之外,對於效能有差別嗎?
: 煩請有知道的版大回答一下,謝謝!
這個比較難解釋
我先歸納出結論:
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對於"同一顆cpu而言"
效能的高低取決於頻率
和電壓無關
電壓的高低只和能否穩定運作有關
將電壓往下調
非但不會損毀cpu
反而可以延年益壽
所以在穩定運作的前提下
電壓能往下調就往下調
省電涼快又延長壽命
當機時再往上調即可
將電壓往上調...可以增加穩定度...
但是溫度會上升...也較耗電
當cpu內部溫度高到一定程度時就會當機
甚至有損毀的可能
所以
超頻後穩定度不足...於是加壓增加穩定度
雖然因此而穩定
卻付出了cpu折壽和高耗電的代價
是否值得端看個人
也和cpu體質有關(體質好的較耐操...體質不好的就劣化很快)
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想進一步了解原因的請看下文:
1.
cpu在運算的時候
是給一電壓去對一電容充電...同時在需要的時候對電容放電
在充放電完成後
電容就只會有裝滿滿或放光光兩種狀態
此時我們在去"觀察" 電容的狀態 (此即讀取動作)
如果很不幸的電容來不即完成充放電過程
我們就去讀他
於是我們就有可能讀到電容裡面還有1/4 或 3/4裝滿的情況
由於超出了兩種壯態...於是當機!!
現實生活中可以比喻成給一跟水管對水桶裝水...
水桶下方也有一個水龍頭可以在需要的時候把水排掉
電壓越高...就好像進水和出水的水管越大...
就可以越快把水裝滿或排出....
但是
那麼裝水和放水的速度越快..並不代表你每天就完成了越多事情
假設你的能力是每天裝水10次放水十次
但上面交代的任務是每天只要做三次就好
那你當然做的很輕鬆
此時升壓讓你裝水排水的速度加快
讓你從本來的10次提升到了13或著14次
你的能力雖然增加了
但是如果上面指派的工作還是三次
那麼你每天的工作量還是沒增加
你只是越快做完多了些休息的時間等待下一次任務....
每秒完成的任務還是一樣多...效能還是一樣慢
升壓提升了 "如期" 完成任務的機率
降低了"失敗的風險"
提生了系統的穩定度
減少出錯當機的可能
相反的
頻率才是決定cpu要在一定的時間內做多少事
頻率代表指派給CPU的任務量
BIOS中所設定的頻率越高
表示我們要求CPU在一定的時間內必需做越多事
如果拿剛剛那個例子
就好像我們要求CPU每天從只做3件事變成13件事
給頻率就是給要求
我們的要求是給了
但不保證CPU一定能做到
CPU能不能準時做到和cpu的體質以及電壓有關
電壓越高
"水管越大"
當然越有可能做到!!
結論:效能由頻率決定
穩定由電壓決定
2.如果為了系統的穩定而一昧的家電壓會怎麼樣呢
電壓越高
cpu內電子的能量就越高
運動速度就越快
所以可以越快完成充電和放電的動作
然而...這些高速電子在移動的時候
會和cpu內其它的原子產生強烈的碰撞
當碰撞的力道夠強烈
原子內部原本被固定住的電子就會因碰撞而脫離原子
也變成運動的電子
如果碰撞的力道如果更強
這些被撞出的電子不僅數量會越多...速度也會越快
當電壓加到某一誇張的地步....這些被撞出的電子本身速度太快
就會再把別的電子也撞出來
於是一個撞完變兩個...兩個變四個...滾雪球般的進一步碰撞
連鎖反應!!
此一連鎖反應一旦發生
將在一瞬間產上大量電子...電流瞬間上升..溫度於是上升
cpu在高溫下....會慢慢開始喪失其原本的半導體性質
從半導體性質變成金屬性質..失去了原本的"物理性質"
無法再執行原本交代的運算任務..於是當機
但是這並不是永久燒毀
只要溫度溫度低回來....原本脫離原子核的電子將因運動能量不足
而被原子抓回原來的位置
一切又恢復原狀
但若是當出碰撞的太劇烈(電壓加太高)
把原子本身的排列都撞的亂七八糟不知道飛到哪裡去了!!
那麼即使溫度降了下來
因為cpu內已經殘破不堪
電子填不回原來的位置..此時cpu乃永久損壞...此即cpu損毀
3.
通常我們習慣藉由改善散熱裝置來解決問題
藉由快速排出能量...來減少高能電子碰撞的危險
但是...這只是讓整個cpu裡面和外面的溫差加大
最核心的地方...溫度雖然有降...但可能還是很高
如果我們做的越極端
電壓瘋狂加....
散熱瘋狂散
就很有可能造成cpu整顆是好的
但最深處爛光光...
一樣燒掉
總之增壓就是會提高這樣的風險
經年累月當然會折壽
4.加電壓超頻會超不上去的原因就是因為
你要求的頻越高....等於要求電子移動速度要越高!!
當你的要求到不合理的時候
電子再還沒達到你指定的速度就已經 先因為進行連鎖反應而"崩潰"
所以加壓加到一極限就上不去了
5.我不太清楚intel那邊cpu的結構
但我知道amd這邊的是使用一種叫做SOI WAFER 的結構去做CPU
SOI WAFER的好處是性能較佳...缺點是散熱較差
所以理論上...對於加壓...應該會比較敏感一點..畢竟散熱較難
但也因為SOI的性能特性 頻稍稍提一點...性能就會增加很多
而ATI的顯示卡則完全相反
ATI是使用標準的CMOS WAFER 製程
散熱較好...但相對性能較差
所以可以容忍比較大的加壓.....但提升頻率對於整體性能的表現應該就沒有像AMD
CPU一樣的那麼明顯
所以AMD的朋友們一定要特別留易加壓這件事
ATI的顯示卡的朋友則可以比較放心的加壓
只是加壓一定折壽..折多折少而已...加壓前請再三評估是否值得
6.所以再能穩定運做的前提下
電壓能低就盡量低...有好處沒壞處的
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