[情報] HBM5 競爭關鍵在「浸沒式冷卻」!KAIST
看板PC_Shopping (個人電腦購買)作者hn9480412 (ilinker)時間11小時前 (2025/06/14 22:59)推噓9(10推 1噓 21→)留言32則, 13人參與討論串1/1
HBM5 競爭關鍵在「浸沒式冷卻」!KAIST 曝未來四代 HBM 技術藍圖
作者 林 妤柔 | 發布日期 2025 年 06 月 12 日 11:07 |
根據韓國科學技術院(KAIST)教授表示,當 HBM5 正式商用化時,冷卻技術將成為 2029 年高頻寬記憶體(HBM)市場競爭的關鍵因素。
KAIST 電機工程系教授 Joungho Kim 在 KAIST Teralab 主辦的活動中指出,目前決定半導體市場主導權的關鍵是封裝技術,但隨著 HBM5 的出現,這個局面將轉變為冷卻技術。
Teralab 在會中公布自 2025 年至 2040 年從 HBM4 到 HBM8 的技術藍圖,涵蓋 HBM 架構、冷卻方式、矽穿孔(TSV)密度、中介層等項目。Joungho Kim 指出,藉由異質整合與先進封裝技術,HBM 的基礎晶片(base die)預期將移至 HBM 堆疊的最上層。
自從 HBM4 開始,基礎晶片將承擔部分 GPU 運算工作,導致溫度上升,對於散熱冷卻的重要性也提升。HBM4 的液冷技術是將冷卻液注入封裝頂部的散熱器中,Joungho Kim 認為目前的液冷方式將面臨極限,因此到 HBM5 是採用浸沒式冷卻技術,將基礎晶片與封裝整體將浸泡在冷卻液中。
除了 TSV 外,還將新增其他類型的通孔(via),如熱穿孔(TTV)、閘極用 TSV 及 TPV(電源穿孔)。據悉,到了 HBM7,需使用嵌入式冷卻技術,將冷卻液倒入 DRAM 晶片間,並引入流體 TSV(fluidic TSV)來達成目的。
此外,HBM7 也將與多種新架構整合,例如高頻寬快閃記憶體(HBF),其中 NAND 像 HBM 的 DRAM 一樣進行 3D 堆疊;至於 HBM8,則將記憶體直接安裝於 GPU 上方。
除了冷卻技術外,接合(bonding)也將是決定 HBM 競爭力的另一大關鍵。而從 HBM6 開始,將引入玻璃與矽混合的混合中介層(hybrid interposer)。
https://technews.tw/2025/06/12/hbm5-immersion-cooling/
可是現在HBM都拿去給AI加速卡使用了,顯卡從Vega和Fury X後就沒再使用HBM了
之前有一說法是HBM太貴和良率低,Vega和Fury X都因為良率問題發售也延期。結果HBM只
是拿來做為火力展示用途
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作者 KotoriCute (Lovelive!) 看板 PC_Shopping
標題 [情報] Skylake-X備貨捉急:居然不能如數交付
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