Re: [情報] 挑戰ASML!佳能壓印機NIL可攻2奈米、價
看板PC_Shopping (個人電腦購買)作者rosemary0401 (rosemary)時間2天前 (2025/01/03 12:04)推噓12(13推 1噓 25→)留言39則, 17人參與討論串2/2 (看更多)
※ 引述《hn9480412 (ilinker)》之銘言:
: 挑戰ASML!佳能壓印機NIL可攻2奈米、價格僅EUV的10%
: 2023/12/30 06:46
: 〔編譯魏國金/台北報導〕瑞典媒體Gamingdeputy 27日報導,日本半導體設備巨頭佳能(Canon)十月推出的奈米壓印裝置(NIL)FPA-1200NZ2C不僅可生產2奈米製程晶片,其耗電量與價格皆為對手艾司摩爾(ASML)深紫外光機(EUV)的十分之一,為小型半導體製造商開啟生產先進晶片的新途徑。
: 佳能半導體機器事業部長岩本和德(Kazunori Iwamoto)指出,奈米壓印是將光罩上的半導體電路圖壓印在晶圓上,只要一次壓印,就能在適當位置形成複雜的2D或3D電路圖,因此只要持續改進光罩,甚至能生產2奈米晶片。
: 報導說,佳能的奈米壓印技術可生產至少5奈米製程晶片。先進半導體設備市場目前由艾司摩爾主導,佳能的技術將持續縮小與艾司摩爾的差距。
: 對於設備成本,岩本和德估計,單次壓印的成本可低至傳統曝光設備的一半。佳能執行長御手洗富士夫(Mitarai Fujio)則表示,奈米壓印的產品價格比艾司摩爾的EUV 將減少一位數,亦即前者為後者十分之一。
: 報導說,有別於以光學圖像投影原理來運作EUV,佳能開發的奈米壓印技術是將電路圖直接印在晶圓上,製造出的晶片據稱擁有可媲美最先進節點的幾何圖形,不過壓印速度較EUV慢。
: 該新設備預計可讓晶片製造商降低對晶片代工廠的依賴,同時讓台積電、三星電子等晶片代工廠更可能大量生產晶片。佳能表示,該設備需要的功率僅為EUV的十分之一。
: 佳能之前聚焦於生產普通晶片,2014年起開始大力投資壓印技術,並收購專門開發奈米壓印技術的Molecular Imprints公司。岩本和德說,佳能已收到大量半導體製造商、大學、研究機構的詢問,他們估計該技術可作為EUV的替代裝置,並可為個人電腦與邏輯IC生產快閃記憶體、DRAM等各種半導體。
: https://ec.ltn.com.tw/article/breakingnews/4536163
: Nikon和Canon以前確實有在製造曝光機啦,但先進製程就變成ASML的天下了
一般設備的開發,從樣機到正式量產,需要很長的時間。所以來追一下目前這個奈米壓印
裝置(NIL)的文章,分享一點自己的看法,給大家來批判。
由於半導體設備的特殊性和晶片結構複雜、涉及的製造流程較多,因此在導入晶圓廠的過
程中需不斷驗證軟硬體設計方案的可行性 [6]。大致上有以下流程:
1. 裝機:到工廠內連接水、電、氣的系統,確保機台裝配完成,可以正常啟動
2. 單機可靠性測試:軟體、硬體、機械手臂測試。在不接反應氣體的情況下跑個上千片
不發任何的警報
3. 工藝測試:根據目標工藝,接上反應氣體,並調整參數,確認可以跑出正確的結果;
然後,連續跑個上千片,確認機台的穩定性
4. 小批量生產:把該機台導入晶片生產的流程,確保可以跑完整個晶片生產的流程,並
達到目標良率
5. 大批量產
根據不同的機台,以上步驟可能不盡相同;每個步驟可能都需要花上數個月,所以跑完全
部的步驟可能需花上12到15個月,甚至更久。
半導體設備的開發往往要與客戶緊密的合作,比方說當年ASML開發時,台積電、三星、
Intel就有共同參與研發 [7];所以佳能的NIL也是一樣,在一開始鎧俠就有參與共同研發
。目前,鎧俠已將其應用到了15nm的NAND快閃記憶體的製造上,並表示到2025年應該可以
應用到5nm的晶片製造上。[1]
除了鎧俠以外,NIL也賣給了TIE
TIE是由德州大學奧斯汀分校支援成立的半導體聯盟,由德州當地政府、半導體企業、國
立研究所等所組成,而TIE將使用NIL微影設備研發、試產先進半導體。
根據日經新聞報導,Canon光學設備事業本部副本部長岩本和德26日受訪表示,「目標在
3-5年內、每年賣出十幾台」[2]。我們可以對照ASML剛推出EUV的前5年,分別賣出了1台
、1台、5台、1台、4台;這表示新型的機台在問世的前幾年,不要期待它可以成為營收的
主力。
在2023年的5月,有朝鮮日報報導[4],SK海力士引進NIL生產設備,正在進行測試與研發
,目標在2025年用來生產3D NAND快閃記憶體。但也有看到在2023年的6月,DigitalTimes
報導,SK海力士否認2025將NIL用於3D NAND量產。[5]
我個人的猜測NIL也許是達到 `3.工藝測試` 或 `4.小批量生產` 的階段,但可能還沒有
辦法在2025年就用於3D NAND的量產。
NIL不是用來取代EUV
NIL的優點是可減少工序以及降低耗電量。但只適合用在結構簡單、且重複性較高的記憶
體製造上面,特別是20nm以下的先進製程,目前的曝光方案成本太高。因此,對於下一
代 3D NAND 記憶體,NIL是非常有競爭力的成本效益選擇[1] 。佳能首先計劃將奈米壓印
推廣到3D NAND市場,然後分階段將應用範圍擴大到DRAM、邏輯半導體等需要更高精細加
工精度的市場。[8]
是否可以銷往中國
目前佳能並沒有對外發表這方面的消息。這可能取決於美中科技戰雙方的博弈。目前網路
上的資訊眾說紛紜,有一種看法是認為,川普會推翻拜登時期所制定的政策,所以NIL可
以銷往中國;但也有另一種看法就是,川普確實會推翻大多數拜登時期所制定的政策,在
科技戰方面,川普會延續拜登政府的政策,所以NIL不能銷往中國。
網上還另一個角度的看法,就要看NIL用到美國技術的比例,從目前取得的資訊來看,NIL
是由佳能、大日本印刷(DNP)、鎧俠共同研發,所以也許不受美國半導體禁令的影響。
Reference
[1] https://www.usmart.hk/en/news-detail/6859068305420976250
[2] https://reurl.cc/V0Wv6n
[3] https://news.qq.com/rain/a/20231015A04QAA00
[4]
https://www.chosunonline.com/site/data/html_dir/2023/05/05/2023050580017.html
[5] https://reurl.cc/74Vvy9
[6] https://www.sohu.com/a/802682193_120498874
[7] https://www.163.com/dy/article/JJSHFMTH05118O92.html
[8] https://reurl.cc/V0WvXn
[9] https://biglegsrabbit.blogspot.com/2025/01/nil.html
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