Re: [情報] GN 耶穌開始調查Intel不良的原因 新資料
看板PC_Shopping (個人電腦購買)作者benmei99 (K1NG0DyR)時間1月前 (2024/07/21 02:30)推噓68(69推 1噓 143→)留言213則, 57人參與討論串2/3 (看更多)
半導體製程老實說已經脫離個人專業範圍,僅止於大學修課的程度而已
以下資訊大家圖個樂看一下就好了
個人手上不論是超頻用平台、工作站,大概有十組左右
目前都是沒辦法穩定復刻出不穩的問題,所以製程是Root cause還蠻合理的
前陣子轉發到板上的Microcode也是問題之一,不過更新BIOS就能解決
先看一下耶穌影片中提到的幾個關鍵字
1. 氮化鉭 Tantalum Nitride(TaN):
在製程中主要是BEOL(Back End of Line)中充當Diffusion Barrier和Insulating
Layer,TaN有著很好的抗氧化性,幫助Interconnect維持穩定尤其是Copper
Interconnect,簡單來說就是防止copper擴散到其他材料的barrier。
Interconnect是一種將把多個元件連接在一起的結構。
Interconnect的layout、設計對於IC的可靠度、電源效率、性能甚至製造良率都
有很大的影響。用Copper做Interconnect的好處是功耗跟Propagation delay的表
現會比較好。
2. 原子層沉積 Atomic Layer Deposition(ALD):
就是一種沉積工藝啦,主要是鍍膜用ALD鍍出來的薄膜均勻、conformal(原諒我不知道
怎麼翻這個字比較到位),因為ALD是原子層級的控制厚度,此外也是做出高品質致密、
無針孔的薄膜重要技術。那這些薄膜的用途是什麼呢? 答案是防氧化和降解之類的問題
。
上面這兩個名詞有可能發生什麼問題呢?
A. 沉積不均勻:
如果製程參數有問題,沉積TaN的時候不均勻,那個不均勻的點就有可能變成氧化弱點
。
B. TaN氧化:
TaN剛剛提到有很強的抗氧化性,但某些條件下,例如「高溫」TaN也是有可能氧化的。
前面提到了,TaN常常用來做Interconnect的barrier,氧化了當然問題就大啦。
半導體製程還有什麼氧化相關問題呢?
1. Metal Contacts和Interconnect的氧化:
氧化是non-conductive,電阻增加和線路問題都是可預見的狀況。
2. Gate Oxide降解:
Gate Oxide變厚或是不均勻對電晶體效能和可靠度有很大的影響。
3. Interface劣化:
半導體和絕緣體之間的介面氧化,電氣特性會變差,裝置的效能當然會受影響。
4. Thin film:
例如Dielectric layer,氧化了絕緣特性跟電性都會被影響。
5. 良率:
不適當的氧化對良率肯定是有影響的
6. Electromigration:
氧化可能會造成metal line的電遷移加劇,interconnect的元件在高電流密度的情況
下會提前出現問題。
補充:可能有人會有疑問12th~14th Gen架構製程不是都一樣嗎?為什麼12th Gen問題看起
來好像比較少?因為包含製程的在內電路設計不會只有一個版本,實際上大家常常聽到的步
進(Stepping level)就是電路設計版本號。包含製程工藝、參數甚至是邏輯電路的設計每個
步進之間都有可能不同。步進這詞的由來是光刻機(stepper)。
以上
算是憑著印象寫得所以錯誤應該不少
請當好玩看看就好惹
很久沒用電腦發文,排版看起來怪怪的請跟我反應
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 111.248.152.112 (臺灣)
※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/PC_Shopping/M.1721500244.A.EA1.html
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這我也不好斷然分析,製程真的脫離我的範圍xD不過確實感覺後者比較有關
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L2 cach變大,多了幾顆E core,在我看來整體架構並沒有改變太多東西
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就我所知沒有,但製程相關我是真的不太熟所以我也不確定,這麼大一間公司出這麼包是很
匪夷所思
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不是他們自己做的,是FA Lab
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真的很怕就All Core Freq.設低一點,Core Voltage調到開機穩用臨界點
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