Fw: [閒聊] SSD數據保存期(不通電會變磚?)+選購雜談

看板PC_Shopping (個人電腦購買)作者Algg (藍或另一種藍)時間5年前 (2020/12/16 06:41)推噓8(8推 0噓 3→)

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※ [本文轉錄自 Storage_Zone 看板 #1Vs9GKpk ] 作者: tyfu (慎) 看板: Storage_Zone 標題: Re: [閒聊] SSD數據保存期(不通電會變磚?)+選購雜談時間: Tue Dec 15 18:46:42 2020 小弟只是業餘的客戶..其實應該有更多專業人士.. 有人想了解我就以我的理解跟大家解釋一下、獻醜XD 如大家所知三星是第一家在2D製成推出TLC SSD廠商，當時還沒發展3D，因此容量發展一直依靠在面積縮小， (Ex. Toshiba NAND 19nm -> A19 -> 15nm、而A19是把Width縮小) 這其實是不利於Floating gate儲存電荷的，這層不管面積大小、電荷存滿之後電位都是一樣的(材料物理特性、無法突破) 所以縮小面積即意味著用更少的電子分布在有限的電位，舉例來說、舊製程(Ex. 25nm)用100顆電子切8等位(TLC 8階)，但新製程(Ex. 14nm)只能存10顆電子卻一樣切8等位，製程愈小的NAND對於壽命跟保存期都是變相的傷害，像Intel 25nm出的MLC P/E可以到10K，後來1x nm做MLC了不起3K，所以後來就沒再繼續做下去改往3D垂直發展，這條路再搞下去做的東西不能用啊XD P.S. 3D的Floating Gate面積大非常多、所以不用太過擔心XD 那三星2D TLC發生什麼事？如上面所講的，因為有限的電子存量，隨便一顆電子跑掉就可能造成資料判讀錯誤， Ex. 原本存110，因為電子跑掉被判斷成111 到這邊也都還沒關係，因為SSD有強大的ECC做Backup， ECC又分為兩種，早期MLC時代絕大多數只有設計BCH用電路的方式硬解，速度夠快，但就是糾錯能力偏差，1個Page錯個幾個Bit都還是可以搞定，但超出他能力他就是完全擺爛，不是0就是1的概念。 TLC把電位切得太細了(MLC只切4階)，出錯的比例大幅提升，所以BCH無法搞定的Case非常容易就遇到了，因此三星率先採用了LDPC ECC，這玩意跟BCH差別在於它是演算法糾錯，他沒辦法100%解乾淨、但他可以讓機率提升到99.9999%，代價就是..你要給他很多時間讓他慢慢算.. 所以後來就衍生出速度變慢的抱怨.. 後來大家也都理解LDPC的處理速度不是常人能忍受的，所以後來SSD廠商就在從FW設計上來彌補這一塊，電子會跑掉是必然的，只要你的環境不是絕對0K，就不可能保證電子不會熱穿隧，所以廠商開始在NAND上面每個Block標註時間，在電子流失到到要啟用LDPC前趕緊把資料重寫(搬到另一個Block)，這樣消費者就不會那麼快遇到LDPC的慢速解碼，多數都靠BCH搞定。如上述所解釋、這其實也只是延遲發作時間而已，當NAND P/E快用完時LDPC還是閃不掉的，前提是P/E快用完XD P.S. 現今的LDPC應該有進步一點了、但我相信還是沒人敢在一開始就讓它啟動XD 以上單純是個人見解..有錯請小力鞭.. -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 118.163.153.36 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Storage_Zone/M.1608029204.A.CEE.html

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sdbb

12/15 18:57, 5年前 , 1^F

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Brunnhilde

12/15 18:59, 5年前 , 2^F

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FRX

12/15 19:01, 5年前 , 3^F

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