Re: [心得] 透過GaN+誘騙線(頭) 取代 DC變壓器、線電 的方案已刪文

看板Headphone (耳機)作者 (Shit happens)時間3周前 (2024/04/23 00:45), 3周前編輯推噓1(100)
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抄一段來自台達電的介紹文章 氮化鎵 GaN 是什麼? 氮化鎵(GaN)是一種堅硬且非常穩定的第三代半導體材料, 可以在高溫和高電壓下,進行長時間的運作。 另外,以氮化鎵(GaN)製成的晶片特色之一就是 閥極切換速度快、效率高,是現在市面充電器常用的元件。 但除了氮化鎵之外,充電器產品內部使用的各種IC、 零件和電路設計,之間互相的配合,才能真正造就小體積、 高效率的充電器。 氮化鎵 GaN 有哪些特色? 雖然氮化鎵(GaN)元件的特色在於速度快、效率高, 但工作頻率高也意味著氮化鎵(GaN)有著高輻射的特性。 由於應用在消費性產品,必須顧及使用者安全, 因此在導入消費性產品時, 產品印刷電路板布局必須充分減少電源和驅動迴路內的總電感, 以達到對元件切換性能的最佳控制, 並且需要在產品效率註一與安全規範間取得平衡。 -------------------------------------------------------- 我手邊二款小米GaN充電器(65w與67w), 用紫米USB-C連接線(有e-marker), 插上筆電外接的USB-C Hub, 替筆電供電(筆電原廠變壓器拔除), 此時開啟主動式喇叭(訊源關閉), 讓筆電跑FurMark GPU stress test, 你就會聽到GaN充電器在負載升高的情況下(20V 2.xA), 放送輻射雜訊, 被主動式喇叭放大, 發出嘰~~的噪音, GPU stress test關閉, 噪音立刻降低, 但改跑CPU burner, 噪音就維持原樣, 不會變大. 不管怎樣, 當你使用GaN充電器替器材供電時, 充電器最好遠離你的主動式喇叭或者訊號線, 免得好處沒得到多少, 雜訊倒是吃了不少. -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 120.114.249.31 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Headphone/M.1713804303.A.29E.html

04/23 01:21, 3周前 , 1F
原來這樣沒有EMI問題XD
04/23 01:21, 1F
對, 我也這樣懷疑. 於是我拔掉USB-C Hub, 讓GaN充電器直接接上筆電USB-C port供電, 也是跑GPU stress test與CPU burner, 主動式喇叭就不哀嚎了, 看來是USB-C Hub的鍋(罪魁禍首), 可它是鋁合金外殼啊. ※ 編輯: tienam (120.114.249.31 臺灣), 04/23/2024 04:24:57
文章代碼(AID): #1c9fGFAU (Headphone)
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