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[情報] 三星發表：以 VTFET 設計實現 1nm 製程

看板PC_Shopping (個人電腦購買)作者 (天晴)時間3年前 (2021/12/20 07:55), 3年前編輯推噓30(35推 5噓 51→)
留言91則, 56人參與, 最新討論串1/1
IBM 和 Samsung 新的電晶體技術可以突破 1nm 以下晶片 https://reurl.cc/emq9DW IBM 和 Samsung 在美國舊金山舉行的 IEDM 國際電子元件會議上，共同發表名為 Vertical Transport Field Effect Transistors（VTFET）的新晶片設計，是把電晶體以 垂直方式推疊，電流也會以垂直的方式通過，與今天通常是以水平方式擺放的不一樣。但 為什麼要這樣設計呢？據指有兩個主要好處，一是個這能突破「摩爾定律」對於 1nm 晶 片設計的的瓶頸，而更重要的是提升電流並可以減少能源的消耗。 據計算，VTFET 在與 FinFET 電晶體設計相比，能把處理器速度提升兩倍，但同時能耗就 減少了 85%。以實用性來說，手機的續航力會最終延長至充一次、使用一週！甚至如果用 於挖礦 cryptomining 的用途，就能大大減少區塊鍊、加密貨幣等技術對環境的影響。 不過這次 IBM 和 Samsung 並沒有透露什麼時候會以商用產品上應用 VTFET，只是市場上 才不只有他們擁有突破 1nm 的技術，因為 Intel 在 7 月的時候就表示已經完成設計， 同時更目標在 2024 年就開始推出「埃」時代的晶片。 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 1.160.21.92 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/PC_Shopping/M.1639958120.A.F36.html ※ 編輯: giorno78 (1.160.21.92 臺灣), 12/20/2021 07:57:09
推
12/20 08:10, 3年前 , 1F
哇，那什麼時候良率不會烙賽呢
12/20 08:10, 1F
→
12/20 08:17, 3年前 , 2F
理論跟出實驗室是兩回事
12/20 08:17, 2F
→
12/20 08:17, 3年前 , 3F
IBM的技術欸 穩了
12/20 08:17, 3F
推
12/20 08:17, 3年前 , 4F
讓挖礦更節能 XDDD
12/20 08:17, 4F
→
12/20 08:19, 3年前 , 5F
藍色巨人? SONY表示: UMC表示:
12/20 08:19, 5F
推
12/20 08:22, 3年前 , 6F
充一次用一週 哈哈
12/20 08:22, 6F
→
12/20 08:22, 3年前 , 7F
手機最耗電的是螢幕吧
12/20 08:22, 7F
推
12/20 08:35, 3年前 , 8F
理論交給IBM 量產交給三星
12/20 08:35, 8F
推
12/20 08:38, 3年前 , 9F
一次唬爛到位 0.1nm不是比較快?
12/20 08:38, 9F
推
12/20 08:55, 3年前 , 10F
youtuber 曲博 有專門講一集
12/20 08:55, 10F
→
12/20 08:55, 3年前 , 11F
結論 : 十年前就有的東西
12/20 08:55, 11F
推
12/20 08:59, 3年前 , 12F
垂直的gaafet
12/20 08:59, 12F
推
12/20 09:11, 3年前 , 13F
三星製程不錯 只是跟肌肉車一樣多
12/20 09:11, 13F
→
12/20 09:11, 3年前 , 14F
吃一點電
12/20 09:11, 14F
推
12/20 09:21, 3年前 , 15F
量產出來再叫我(挖鼻
12/20 09:21, 15F
推
12/20 09:24, 3年前 , 16F
所以我說能量產嗎？
12/20 09:24, 16F
推
12/20 09:26, 3年前 , 17F
Gg嚇到gg發抖
12/20 09:26, 17F
推
12/20 09:33, 3年前 , 18F
我覺得烙賽的不只良率
12/20 09:33, 18F
→
12/20 09:33, 3年前 , 19F
會量產嗎？
12/20 09:33, 19F
推
12/20 09:38, 3年前 , 20F
實驗室做得出來不代表工廠能量產啊
12/20 09:38, 20F
推
12/20 09:50, 3年前 , 21F
大力出奇跡
12/20 09:50, 21F
推
12/20 09:51, 3年前 , 22F
核融合先商轉跟垂直電晶體量產，誰
12/20 09:51, 22F
→
12/20 09:51, 3年前 , 23F
先成功?
12/20 09:51, 23F
推
12/20 09:57, 3年前 , 24F
ptt之神
12/20 09:57, 24F
→
12/20 09:57, 3年前 , 25F
p
12/20 09:57, 25F
→
12/20 10:04, 3年前 , 26F
喔
12/20 10:04, 26F
噓
12/20 10:15, 3年前 , 27F
使用一週？ 聽記者在屁 螢幕不用吃
12/20 10:15, 27F
→
12/20 10:15, 3年前 , 28F
電？
12/20 10:15, 28F
→
12/20 10:21, 3年前 , 29F
好的，讓我們繼續關注天璣9000
12/20 10:21, 29F
→
12/20 10:23, 3年前 , 30F
那，甚麼時候不會漏尿呢
12/20 10:23, 30F
推
12/20 10:36, 3年前 , 31F
PPT做得不錯
12/20 10:36, 31F
噓
12/20 10:37, 3年前 , 32F
漏尿製程 -.-
12/20 10:37, 32F
→
12/20 10:37, 3年前 , 33F
相信GG Sieg G翁!Sieg G翁!Sieg G翁
12/20 10:37, 33F
推
12/20 10:53, 3年前 , 34F
然後良率掉多少XD
12/20 10:53, 34F
噓
12/20 11:19, 3年前 , 35F
笑死 漏電多少不敢講
12/20 11:19, 35F
推
12/20 11:20, 3年前 , 36F
GG嚇到再買幾桶爆米花回來吃
12/20 11:20, 36F
→
12/20 11:43, 3年前 , 37F
ibm的，穩了
12/20 11:43, 37F
推
12/20 11:43, 3年前 , 38F
所以良率多少？
12/20 11:43, 38F
→
12/20 11:44, 3年前 , 39F
IBM穩了，合法的專利蟑螂
12/20 11:44, 39F
→
12/20 11:45, 3年前 , 40F
一個完成設計，一個寫完PPT
12/20 11:45, 40F
→
12/20 11:45, 3年前 , 41F
製造不出來、良率一蹋糊塗
12/20 11:45, 41F
→
12/20 11:46, 3年前 , 42F
跟政客一樣，畫餅。完成時間都訂在
12/20 11:46, 42F
→
12/20 11:46, 3年前 , 43F
下一任
12/20 11:46, 43F
→
12/20 11:47, 3年前 , 44F
成功是我的，失敗是下一任的
12/20 11:47, 44F
推
12/20 11:56, 3年前 , 45F
TFET 哈哈哈哈哈
12/20 11:56, 45F
推
12/20 12:01, 3年前 , 46F
IBM SOI製程那時候好像也不好吧
12/20 12:01, 46F
推
12/20 12:01, 3年前 , 47F
理論上 TFET功耗低 SS低 但是Ion也
12/20 12:01, 47F
→
12/20 12:01, 3年前 , 48F
很低啊 而且量產是一大問題
12/20 12:01, 48F
推
12/20 12:14, 3年前 , 49F
三星跟IBM的結合體，用的人八字要
12/20 12:14, 49F
→
12/20 12:14, 3年前 , 50F
夠硬阿
12/20 12:14, 50F
→
12/20 12:33, 3年前 , 51F
沒有二代euv就沒有3奈米finfet
12/20 12:33, 51F
→
12/20 12:33, 3年前 , 52F
三星真的很會
12/20 12:33, 52F
→
12/20 12:34, 3年前 , 53F
一下子gaa 一下子vxx
12/20 12:34, 53F
推
12/20 12:34, 3年前 , 54F
就跟電池科技一樣 每年都一堆突破
12/20 12:34, 54F
→
12/20 12:34, 3年前 , 55F
性研發 至今走入商業的一個也沒
12/20 12:34, 55F
→
12/20 12:43, 3年前 , 56F
廠商會把電池做小做薄 一樣一天一沖
12/20 12:43, 56F
推
12/20 12:51, 3年前 , 57F
所以說那個熱量呢
12/20 12:51, 57F
推
12/20 13:28, 3年前 , 58F
垂直版的GAA
12/20 13:28, 58F
推
12/20 14:00, 3年前 , 59F
做得出來天網就要上線開始屠殺了..
12/20 14:00, 59F
→
12/20 14:00, 3年前 , 60F
.
12/20 14:00, 60F
推
12/20 14:40, 3年前 , 61F
問題在檢測，GAA用現行的多重電子束
12/20 14:40, 61F
→
12/20 14:40, 3年前 , 62F
就很難檢測瑕疵，垂直的一定更難，
12/20 14:40, 62F
→
12/20 14:40, 3年前 , 63F
給封測造成麻煩
12/20 14:40, 63F
→
12/20 15:09, 3年前 , 64F
三星藍色巨人，你各位不要太囂張
12/20 15:09, 64F
噓
12/20 15:11, 3年前 , 65F
他只是改成水平的 沒什麼特別的
12/20 15:11, 65F
推
12/20 15:27, 3年前 , 66F
VTFET那麼厲害直接拿到5nm做就好啦
12/20 15:27, 66F
→
12/20 15:35, 3年前 , 67F
看看就好，同樣是4nm工藝GG的天璣90
12/20 15:35, 67F
→
12/20 15:35, 3年前 , 68F
00打爆三星的8G1，還能對三星工藝有
12/20 15:35, 68F
→
12/20 15:35, 3年前 , 69F
什麼期待呢？
12/20 15:35, 69F
→
12/20 15:42, 3年前 , 70F
GG看到這組合 心裡os應該是覺得穩了
12/20 15:42, 70F
→
12/20 15:43, 3年前 , 71F
放著給他自爆就夠了
12/20 15:43, 71F
→
12/20 15:48, 3年前 , 72F
***的4nm就7nm改的 想毀天滅地？
12/20 15:48, 72F
→
12/20 16:45, 3年前 , 73F
說個笑話，CELL (IBM的東西看看就好
12/20 16:45, 73F
→
12/20 16:45, 3年前 , 74F
看看就好，真的實用化再說)
12/20 16:45, 74F
→
12/20 16:46, 3年前 , 75F
***把升級點數都點吹牛的 看看就好
12/20 16:46, 75F
推
12/20 17:37, 3年前 , 76F
IBM點數點在實驗室做得出卻無法量產
12/20 17:37, 76F
→
12/20 17:37, 3年前 , 77F
三星點在吹製程做得出量產卻沒良率
12/20 17:37, 77F
→
12/20 17:38, 3年前 , 78F
兩個天作之合
12/20 17:38, 78F
噓
12/20 18:00, 3年前 , 79F
哈哈南朝鮮
12/20 18:00, 79F
推
12/20 18:43, 3年前 , 80F
5做不好要做1 聽起來就很幹話
12/20 18:43, 80F
推
12/20 18:47, 3年前 , 81F
語畢，哄堂大笑
12/20 18:47, 81F
推
12/20 19:14, 3年前 , 82F
這不就老東西了...不管三星或台積
12/20 19:14, 82F
→
12/20 19:15, 3年前 , 83F
能穩定良率量產出來的東西才是真
12/20 19:15, 83F
→
12/20 19:47, 3年前 , 84F
只剩下話大餅的功力了
12/20 19:47, 84F
推
12/20 20:36, 3年前 , 85F
水喔，能量產再來說好嗎
12/20 20:36, 85F
→
12/21 07:55, 3年前 , 86F
IBM每一代都最早拿實驗室成果出來吹
12/21 07:55, 86F
→
12/21 07:56, 3年前 , 87F
因為它不用負責量產 用成果來圈錢
12/21 07:56, 87F
→
12/21 07:56, 3年前 , 88F
永遠有凱子夥伴付錢讓他研發
12/21 07:56, 88F
→
12/21 07:57, 3年前 , 89F
事後品質良率拉不起來 IBM不管
12/21 07:57, 89F
→
12/23 14:07, , 90F
笑死 就是gaa水平換成垂直的概念而
12/23 14:07, 90F
→
12/23 14:07, , 91F
已
12/23 14:07, 91F
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