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[情報] Intel推出SSD 665p M.2 NVMe SSD

看板PC_Shopping (個人電腦購買)作者 (原廠打手 !!!)時間4年前 (2019/11/27 00:01), 編輯推噓10(11推 1噓 52→)
留言64則, 10人參與, 4年前最新討論串1/1
沒有任何預熱，Intel今天悄然發布了SSD 665p固態硬碟，是才發布不到兩個月的SSD 665p升級版 採用最新第二代96層3D QLC顆粒，而之前是64層3D QLC ，性能提升13.6%同時 耐用性也都有很大提升。SSD 665p採用常見M. 2280規格，依舊採用的是Silicon Motion SM2263控制器 板載DRAM快取，支援SLC快取技術，有1TB和2TB兩個版本可選，未來有望推出512GB版本。 性能方面SSD 665p走PCIe 3.0 x4通道，相容NVMe 1.3協議，以SSD 660作為對比，SSD 665p 1TB版本 順序讀寫為2000MB/s和1925MB/s，比SSD 660讀寫性能提升11.1%和6.9 %；2TB版本順序讀 寫均為2000MB/s 而SSD 660均為1800MB/s，讀寫性能提升均為11.1%。4K隨機表現上 SSD 665p 1TB版本4K隨機讀寫為160K IOPS和250K IOPS，而2TB讀寫均為250K IOPS，相比 SSD 660也都有13.6%的提升。 同時耐用性上也有了很大提升，SSD 665p 1TB版本和2TB版本寫入壽命分別為300 TBW和 600TBW 而此前SSD 660 1TB為200 TBW和400TBW，耐用性足足提升50%，不過這個表現依舊無法和 TLC相比 對耐用性有需求的用戶至少要選擇TLC類型SSD。目前Intel未公佈具體售價 預計SSD 665p會在今年年底前上市，就其定位和已知SSD 660售價，新的SSD 665p價格應 該不會太高。 來源 http://www.fashaoyou.net/Article/1554/94835.html XF編譯 https://www.xfastest.com/thread-236568-1-1.html 就這麼地 QLC 已敲敲進入第二世代 不要都不行了 等美光 P2 八 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 211.75.15.152 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/PC_Shopping/M.1574784086.A.90C.html
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11/27 00:03, 4年前 , 1F
不爆快取是沒事啦 可是用到滿很容易爆84
11/27 00:03, 1F
推
11/27 00:10, 4年前 , 2F
尼們遲早要用QLC的。Resistance is futile XD
11/27 00:10, 2F
推
11/27 00:25, 4年前 , 3F
SLC快取+300次壽命 DRAM快取只能是越大越好了吧
11/27 00:25, 3F
推
11/27 00:27, 4年前 , 4F
一般來說所謂的SLC快取也只是把一部分的NAND模擬成
11/27 00:27, 4F
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11/27 00:27, 4年前 , 5F
SLC來用，並不是真的有焊SLC在裡面。
11/27 00:27, 5F
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11/27 00:28, 4年前 , 6F
此外SSD裡面的DRAM只是拿來放FTL表，所以也不是用來
11/27 00:28, 6F
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11/27 00:28, 4年前 , 7F
做資料快取用的。
11/27 00:28, 7F
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11/27 00:31, 4年前 , 8F
Nand本來就都一樣的東西 QLC SLC只是電壓要控到多細
11/27 00:31, 8F
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11/27 00:39, 4年前 , 9F
所以660p 256MB的DRAM和Crucial P1 1GB的DRAM會有
11/27 00:39, 9F
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11/27 00:40, 4年前 , 10F
怎樣差別？
11/27 00:40, 10F
推
11/27 00:42, 4年前 , 11F
整體儲存空間變大，FTL表也會變大，那DRAM也要用大
11/27 00:42, 11F
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11/27 00:42, 4年前 , 12F
一點的
11/27 00:42, 12F
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11/27 00:43, 4年前 , 13F
https://bit.ly/33n1YiP SLC QLC圖像化一點看這篇的
11/27 00:43, 13F
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11/27 00:44, 4年前 , 14F
圖 實際上就一樣的東西要怎麼用而已 同一個NAND切
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11/27 00:44, 4年前 , 15F
越細速度跟壽命就越爛但空間就大
11/27 00:44, 15F
推
11/27 00:47, 4年前 , 16F
我比較好奇的是抹擬成SLC時，PE cycle的累積計算方
11/27 00:47, 16F
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11/27 00:47, 4年前 , 17F
說不是真的SLC不太對
11/27 00:47, 17F
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11/27 00:47, 4年前 , 18F
式，會不會有所不同
11/27 00:47, 18F
推
11/27 00:57, 4年前 , 19F
noz～
11/27 00:57, 19F
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11/27 01:00, 4年前 , 20F
不太懂PE計算不同的比較點是 QLC VS SLC Cache 還是
11/27 01:00, 20F
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11/27 01:00, 4年前 , 21F
SLC Cache VS SLC NAND?
11/27 01:00, 21F
噓
11/27 01:05, 4年前 , 22F
不要推垃圾
11/27 01:05, 22F
推
11/27 01:08, 4年前 , 23F
嗯，在不要想太多的前提下，QLC一次PE應該可以存取
11/27 01:08, 23F
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11/27 01:09, 4年前 , 24F
4bit的資料吧，而模擬成SLC時，一次PE則只能存取
11/27 01:09, 24F
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11/27 01:09, 4年前 , 25F
1bit
11/27 01:09, 25F
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11/27 01:10, 4年前 , 26F
那是不是相同容量的資料要寫入時，模擬成SLC反而會
11/27 01:10, 26F
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11/27 01:11, 4年前 , 27F
讓PE次數大幅增加呢?
11/27 01:11, 27F
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11/27 01:11, 4年前 , 28F
當然我知道後續還是要搬遷整理，來造就寫入放大
11/27 01:11, 28F
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11/27 01:17, 4年前 , 29F
應該這樣講 用SLC mode容量不見就是不見 不會有能
11/27 01:17, 29F
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11/27 01:17, 4年前 , 30F
放相同資料的事情發生阿
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11/27 01:18, 4年前 , 31F
SLC用完以後 接下來就是看控制晶片怎麼處理 看起來
11/27 01:18, 31F
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11/27 01:18, 4年前 , 32F
應該是就直接不要Cache開始往QLC倒 所以才變這麼慢
11/27 01:18, 32F
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11/27 01:19, 4年前 , 33F
然後他敢當Cache用就是因為SLC跟QLC mode PE是差好
11/27 01:19, 33F
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11/27 01:20, 4年前 , 34F
幾個零的程度 多那幾次PE根本遠小於PE差距
11/27 01:20, 34F
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11/27 01:21, 4年前 , 35F
了解了，所以相同的NAND單元，做為SLC模式跟QLC模式
11/27 01:21, 35F
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11/27 01:21, 4年前 , 36F
它的PE上限是有差異的，這樣理解對嗎?
11/27 01:21, 36F
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11/27 01:23, 4年前 , 37F
我自己比較好奇的是同製程下 要做成QLC跟TLC的NAND
11/27 01:23, 37F
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11/27 01:23, 4年前 , 38F
參數會不會因為可控的bit數不同所以不同 影響到PE數
11/27 01:23, 38F
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11/27 01:24, 4年前 , 39F
也就是目標做QLC的Nand開TLC mode會不會PE比純TLC的
11/27 01:24, 39F
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11/27 01:24, 4年前 , 40F
Nand爛或好
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11/27 01:24, 4年前 , 41F
對阿 上限差異來自因為同電壓要控到多精細 SLC只要
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11/27 01:25, 4年前 , 42F
0/1 2種 所以誤差可以超級大 QLC要16種誤差稍微大一
11/27 01:25, 42F
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11/27 01:26, 4年前 , 43F
點就壞掉了
11/27 01:26, 43F
推
11/27 01:28, 4年前 , 44F
然後Nand架構是每次寫入就是在破壞元件 所以QLC寫幾
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11/27 01:28, 4年前 , 45F
次開始控不住電壓就壞掉了
11/27 01:28, 45F
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11/27 06:54, 4年前 , 46F
#相信INTEL
11/27 06:54, 46F
推
11/27 09:32, 4年前 , 47F
通常X-bits MLC最多變成SLC來使用
11/27 09:32, 47F
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11/27 09:32, 4年前 , 48F
其實那也不算模擬 以TLC來看 SLC mode是用low page
11/27 09:32, 48F
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11/27 09:33, 4年前 , 49F
來當作SLC PE而不是所謂的模擬
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11/27 09:34, 4年前 , 50F
另外以同制成來說 理論上是如果vendor有提供
11/27 09:34, 50F
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11/27 09:34, 4年前 , 51F
QLC轉成TLC mode 理論上QLC有多爛 轉成的TLC就多爛
11/27 09:34, 51F
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11/27 09:35, 4年前 , 52F
不用期待他會比純TLC還好 能持平就要偷笑了
11/27 09:35, 52F
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11/27 09:35, 4年前 , 53F
但是這種通常不會提供 因為只是拿來騙人用的
11/27 09:35, 53F
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11/27 09:36, 4年前 , 54F
之所以提供轉SLC 是因為SLC可靠度仍舊是flash最好的
11/27 09:36, 54F
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11/27 09:37, 4年前 , 55F
所以FW處理的時候 需要少部分的容量來儲存資訊
11/27 09:37, 55F
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11/27 09:38, 4年前 , 56F
因此才有SLC mode來給FW來使用
11/27 09:38, 56F
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11/27 09:39, 4年前 , 57F
只是GEN3x4還只能到seq. read還只能到2000MB/s
11/27 09:39, 57F
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11/27 09:39, 4年前 , 58F
就不知道是FLASH本身的問題還是controller在藏招了
11/27 09:39, 58F
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11/27 09:41, 4年前 , 59F
以上是個人小見解 如果有說錯的地方麻煩
11/27 09:41, 59F
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11/27 09:41, 4年前 , 60F
更懂得大大指導一下
11/27 09:41, 60F
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11/27 10:43, 4年前 , 61F
2TB 3000再通知我
11/27 10:43, 61F
推
11/27 12:29, 4年前 , 62F
哇學到不少東西，真是感謝各位大大
11/27 12:29, 62F
推
11/28 18:45, 4年前 , 63F
只有比上一代快一點 問題也許出在顆粒先天速度上
11/28 18:45, 63F
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11/28 18:46, 4年前 , 64F
本來還想哪裡跟不上又去查 後來看看發現沒毛病=.=
11/28 18:46, 64F
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