Re: [請益] 徵求記憶體調教相關文章

看板OverClocking (超頻)作者jk21234時間17年前 (2008/09/18 13:47)推噓3(3推 0噓 0→)

留言3則, 2人參與討論串3/3 (看更多)

※ 引述《Ledinsky (不超一下哪叫做人生?)》之銘言： : 以現有Intel超頻架構裡面 : 個人覺得其實最有深入研究空間的是記憶體 : 最近在記憶體調教方面碰到一些瓶頸 : 想找一些關於記憶體參數設置與效能相關 : 比較深入的文章來研讀 : 滄者的文章也有大略搜尋過了 : Google也有找過... : 可是還是找不到滿意的文章 : 不知道有沒有人可以分享這類相關的文章 : 因為本身不是學電子資訊相關科系 : 所以比較欠缺這方面的資訊 : 還請各位板友不吝分享指教謝謝^^ 通常基本的是記憶體時脈,CL,RCD,RP,電壓幾個參數. 這幾個關聯呢(以下會剪貼部分舊文)?? Page Hit: CL Burst |------|----------| 1 2 3 4 Page Miss: RCD CL Burst |----|------|----------| 1 2 3 4 Bank Conflict: RP RCD CL Burst |------|----|------|----------| 1 2 3 4 不管是PC-100 SDRAM,到DDR2-800,基本上都是: 當記憶體控制器送出要求以後,等待數個cycle的延遲. 就會在接下來的N個cycle收到連續N筆資料. 比如說CL=3,burst length=4. 就是: 1 2 3 4 5 6 X X a b c d 6個cycle收到了四筆資料. 調電壓是幹嘛的應該不需要解釋. 那調整記憶體的時脈以及CL,RCD,RP這三個延遲的值會有甚麼結果? 為了方便說明,假設這邊有一條DDR2-800,CL,RCD,RP預設都相同(實際上沒有完全相同的可能性....但是這是為了說明的簡化). RP RCD CL Burst |------|----|------|----------| 15ns 15ns 15ns 7.5ns 參數不變都是繼承BY SPD的設定,只調整時脈到1200會變成如何? RP RCD CL Burst |------|----|------|----------| 10ns 10ns 10ns 5ns 實際上這條記憶體有這麼勇猛嘛?當然不可能. 所以我們可以手動把RP,RCD,CL都增大1.5倍. (以這個例子是6-->9,當然會發生不是整數比的狀況,只好無條件進位) RP RCD CL Burst |------|----|------|----------| 15ns 15ns 15ns 5ns 如果可以動的話,這就是一條名義上可以超過DDR2-1200, 實際上效能增加不知道有沒有10%的記憶體模組. 當然如果時脈能硬超這麼多,則這條記憶體的體質上,RP,RCD,CL 或許還有硬上的空間. 比如說極限可能是: RP RCD CL Burst |------|----|------|----------| 13ns 14ns 12ns 5ns 那記憶體可以從9-9-9-1200MHZ變成 8-9-7-1200MHZ.... 實際上也可能因為參數設定錯誤,比原來更糟糕. RP RCD CL Burst |------|----|------|----------| 16.6ns 15ns 16.6ns 5ns DDR2-800到DDR2-1200省下的2.5ns先被設定錯誤的 CL消耗掉2/3,再被一定機率發生的RP吃掉一部分. 效能可能會沒有改善. 所以實際設定的方法...先看你想要的時脈是多少, 然後把CL,tRCD,tRP,以及其他的cycle設定**(依照bios願意開放的程度而不同...而有些不開放因此硬上會有問題)等比增加. 再來確認高時脈可上之後,依次降低CL,tRCD,tRP等看看是否仍然穩定. **tREF除外,通常不需要動. 其他常見的設定則有: 1T Command: 1T/2T 指的是送active command的時候,1T就是同一個cycle就會動作. 2T則是下一個cycle才啟動.會略為影響效能.不過1T能使用的前提是時脈較低以及系統上使用的DIMM較少.即使用同樣的記憶體, 可能插上兩條或者是三條的時候就不建議使用. Bank Interleave: Continous/Interleave 這個影響的是資料如何在記憶體內部排列的順序. 舉例而言: Continous: 0,1,2,3 8,9,10,11 Row 4,5,6,7 12,13,14,15 ........... Interleave: 0,1,8,9, 2,3,10,11 ROW 16,17,24,25 18,19,26,27 設定成不同模式,依照程式存取資料的特性會影響 page miss跟bank conflict的機率.進而影響實際效能. 這兩個沒有絕對的優劣差異.反正配置都弄好了才改這邊測試看看也是可以的. 以上為一般主機板常見可以調整的. 如果是DFI的bios,提供的很多調整都是記憶體實體層的門檻. 比如說DQS Skew Control,是因為DQS的訊號就是控制DDR 的data rate.但是所有clock rate傳遞的時候都會在線路上有clock skew問題.如果特地修改這個門檻,可以降低高時脈無法判別的問題....但是改到這部分已經不知道怎麼說呢... 不過從以上說明可知,其實超頻SDRAM對效能影響的程度比能想像的低很多.. 絕大多數有意義的理由都是為了跟上超頻後的外頻或者是讓記憶體控制器對記憶體/CPU的除頻比例簡單化. 這兩點比起記憶體能超多少才是最重要的. -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 220.132.36.159 ※ 編輯: jk21234 來自: 220.132.36.159 (09/18 13:48)