Re: [請益] 記憶體參數的問題

看板OverClocking (超頻)作者時間17年前 (2008/09/18 04:34), 編輯推噓7(700)
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※ 引述《levine21 (音響系統真的是坑)》之銘言: : 前些時候在電蝦有看到關於CL值的討論 就去辜狗一下 結果找到這篇文章 : http://www.coolaler.com/content/node/1005?page=0%2C2 [by 狂少] : 看幾次之後有了以下的疑問 如果有笨到的話請別見怪 ~"~ : 首先 打開CPU-Z 看SPD那欄 顯示如下 : Frequency 200MHz 266MHz 400MHz : CL 3 4 5 : tRCD 3 4 5 : tRP 3 4 5 : tRAS 9 12 18 : tRC 12 16 23 : 然後文章中提到 : 總延遲時間= CL delay time (Value) x period of each clock cycle : 假設是DDR2 800 IC速度=2.5ns : 那 CL=3 --->3*2.5 = 7.5ns : CL=4 --->4*2.5 = 10.0ns : CL=5 --->5*2.5 = 12.5ns : 如果改成看DDR2 533 IC速度=3.76ns : 那 CL=3 --->3*3.76 = 11.28ns : CL=4 --->4*3.76 = 15.04ns : CL=5 --->5*3.76 = 18.80ns 觀念已經算接近正確了. 不過,這個"CL的實際時間"一般稱為SDRAM的"TRUE LATENCY",是一個重要指標. 但是並不是直接反映到效能. 因為SDRAM家族的傳輸大致上長的這樣. Page Hit: CL Burst |------|----------| 1 2 3 4 Page Miss: RCD CL Burst |----|------|----------| 1 2 3 4 Bank Conflict: RP RCD CL Burst |------|----|------|----------| 1 2 3 4 依照上次存取位置與現在存取的位置的關聯性, 有不同長度的Latency,而Latency之後是Burst傳輸. 每一個cycle都可以傳一筆資料,持續N次...(N是多少就是規格了, SDR,DDR可能是4,8,桌上型DDR2只支援4,而顯示卡用的記憶體 可以支援特別長的連續資料傳輸). 以你的例子來說(只算Page Hit): : 然後看CPU-Z的表 跑DDR2 533的時候 CL為4 所以總延遲時間=15.04ns : 最後看DDR2 400 IC速度=5ns : 那 CL=3 --->3*5 = 15ns : CL=4 --->4*5 = 20ns : CL=5 --->5*5 = 25ns : 看CPU-Z的表 DDR2 400的時候 CL為3 總延遲時間=15ns : 這樣來看的話當記憶體跑DDR2 400的時候延遲時間比DDR2 533來的短(雖然只有0.04ns) : 是代表效能比較高嗎? 可是總覺得這樣想怪怪的 是哪裡出了問題呢? : 感覺好像要把除頻表納入考慮 可是我怎麼也連不起來 囧 : 感謝解答 DDR2-533 CL=15ns Burst=3.75x(4-1)=11.25ns |---------|--------| 因此在26.25ns的時間內,取得了4x64bit大小的資料. DDR2-400 CL=15ns Burst=5x(4-1)=15ns |---------|-----------| 在30ns的時間內取得了256bit大小的資料. 前者還是比較快,但是比例不如400:533帳面上的33%. 只快了約15%的時間. 不過要是再考慮...以上是只計算Page Hit, 還是要考慮到:CPU存取記憶體的應用方式不太可能讓Page Hit 的比例很高,而不是page hit的時候,提升比例會低很多,加上 cpu上還含有cache....因此低規格的DDR2和高規格的DDR2記憶體 的實際效能差距就會更少.像上面那個例子,要是拿Sissoft Sandra這種 synthesis benchmark測就會將近提升15%,不過換成實際的應用 程式就不知道有沒有1.5%了. 但是這個"TRUE LATENCY"還是可以當一個重要的指標. 因為對DRAM而言,true latency的改進是很緩慢的. 據統計約為7% per year.也就是說今年造出來的是 15ns的話,明年大概可以做到14ns.而RP跟RCD可以做到的值 也和這個有正相關,不會出現太極端的偏差. 相比容量的進步之下這個東西的進步速率可以說是牛步. 另外同一串回文有認為兩條記憶體可以直接以 true latency的時間比較的....應該說. true latency低比記憶體能跑更高的burst時脈影響更大. 如果true latency相同,burst時脈較高當然也比較好. 因為在設定的時候只能看到Cycle值.所以需要自己換算 這個true latency的實際時間....以避免提高記憶體頻率 的同時錯誤的設定讓true latency變長了. 沿用這個例子作說明,DDR2-533 CL4比DDR2-400 CL3好, 但是如果是DDR2-533 CL5就可能比DDR2-400 CL3差. -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 220.132.36.159

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那只是一個方便的方法
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一般消費者不用去懂微處理機裡面教的東西
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突然想到最近有人把DDR2電到快3V 跑1600...
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3V? 有的DDR都不一定能電到3V...BH-5還是TCCD才可以這樣電..
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應該是tccd吧 BH5是低CL出名
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那位仁兄在XF CBB都有PO 而且是空冷...
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09/18 11:47, , 7F
空冷..心臟有大顆-.-
09/18 11:47, 7F
文章代碼(AID): #18qMczE2 (OverClocking)
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