[新聞] 佳能的工藝之殤 自產CMOS拖後腿?
佳能的工藝之殤 自產CMOS拖後腿?
2012年12月14日 11:25:54 來源: 愛活網
http://big5.xinhuanet.com/gate/big5
/news.xinhuanet.com/foto/2012-12/14/c_124096317.htm
縮址 http://tinyurl.com/bp5c2cx
Fab(半導體工廠)是消費電子行業的基石,關于Fab的重要性,硅谷牛仔桑德斯曾經有過
這樣一句名言:“有Fab,才是真男人”(所以,此人一手創辦的AMD現在已經變成了按摩
店)。
半導體工廠(Fab)的投資是以10億美元為單位計算的,它是巨頭們實力的象徵
不過,Fab只是獲得競爭優勢的一個充分條件,而不是必要條件,有了Fab日子也不一
定好過。影像半導體巨頭佳能最近就飽受這方面的困擾。最近chipworks發布公開了一些
傳感器信息,我們發現佳能這個靠自產CMOS穩扎穩打的影像巨頭,半導體工藝居然長時間
停滯在500nm線寬上,沒有Fab的尼康和徠卡卻早已飛躍到180nm和110nm:
工藝的滯後使得佳能全副傳感器像素尺寸停留在6微米級別,而尼康則已經達到4.75
微米。這些數字背後意味著什麼?它對佳能的相機業務有多大影響?今天的新技術研習社
,我們就來八一八佳能相機和佳能傳感器半導體工廠的那些事兒。
半導體工藝對數碼相機有什麼影響?
和我們熟悉的CPU/顯卡不同,數碼相機使用的CMOS/CCD傳感器很難受益于工藝制程的
進步。在處理器、顯卡上,我們經常看到諸如“性能提升一倍、功耗下降一倍”等激烈的
描述,但摩爾定律到了數碼相機領域卻行不通。
數碼相機傳感器上單個像素的尺寸暫時還比500nm大不少,而高感光性能可以通過更
高精度的高性能模數轉換器(AD)改善。半導體工藝改進後的電路跟傳感器上面的像素根
本就不是一一對應的,性能、功耗自然不會有太多變化。這也是佳能古老的半導體工藝保
留到現在仍有較強生命力的原因。
所以,很多人會自然而然得出結論——佳能工藝老又如何?相機傳感器不是CPU,線
寬對最終效果影響不大!但這個結論真的正確嗎?讓我們用數據來說話。
國外專業影像評測博客DXOmark整合了大部分傳感器和鏡頭的基本信息以及測試數據
,可以很直觀的在線比較各種傳感器的性能,我們選取DXOmark的數據進行對比。
值得注意的是,DXOmark用作基準參考的並非照片100%放大下的細節,而是統一將照
片縮小到800萬像素進行pk。對于低像素相機,這或許是不公平的;但對大部分用戶而言
,這是相當實際的對比。因為即便是2560×1600的顯示器,也不能完全顯示100%放大800
萬像素的圖片。
從上圖佳能5D單反相機家族對比中可以發現,5D係列總體來說在一步一個腳印的進步
——起碼高感光性能提升明顯。這說明工藝不變就同時增加像素和改善高感光性能是完全
可行的——至少,在一定范圍內可行。
然而,仔細觀察DXOmark的數據對比會發現,從5D2到5D3,色深指標的進步明顯小于
從5D到5D2時的進步。在動態范圍方面,甚至發生了5D3不如5D2的倒退。是不是500nm工藝
在這方面江郎才盡了呢?這時候需要橫向對比競爭對手,尼康前代旗艦D3X採用了索尼250
納米工藝,最新的入門全副機D600是180納米,在半導體工藝角度分別比佳能的500納米領
先了兩代和三代。他們的評分如下:
從數據中可以看出,像素接近的前提下,佳能最新的5D3面對老對手的四年前的旗艦
只有高感光佔據一定優勢,動態范圍與色深全敗,而同一年登場的入門全副機D600則在三
大指標中全面壓倒了5D3和D3X,工藝的影響比預計中要大。
關鍵中的關鍵——微透鏡
傳統膠片依靠單純的化學反應實現感光,感光部分的整體剖面是一個平面,入射的光
線除了表面的反射損耗以外,大部分光都能被利用到。而CCD/CMOS傳感器原理和結構復雜
得多,像素的概念實際是最小感光單元意思,數碼相機的傳感器上,每一個感光單元構造
就像一口深井:
從側面剖開傳感器,就是這個樣子
像素結構剖面,這就是一口井,入射光經微透鏡匯聚,穿過單色濾鏡,才能到達像素
點,在D4的傳感器中,這一路徑長度為9.6微米(D4像素這口深井,深度為9.6微米),
D800則只有7微米。
可以看到,整塊傳感器中很多部分其實並不參與感光,加上同樣存在的表面反射和內
部電路阻擋,入射光的效率會降低到40%。提高入射光的效率是各大廠商奮鬥的目標,光
的利用率提升了,色純、動態范圍,高感光性能都可以獲得提升。
紅框框裏面才是每個“像素”真正的大小
現在以chipworks提供的尼康D4傳感器圖片作為案例,標明Pixel的紅方塊就是CMOS中
真正可以感光的區域,四周的T1、包括VSS,都是輔助用的晶體管或者接口的位置,對比
藍框和紅框會發現,一個像素所在的區域中,很大一部分面積無法用來感光,這是巨大的
浪費。傳感器廠商很早就意識到這一問題,紛紛使用微透鏡將射到圖內紅藍框之間區域的
光匯聚到像素這口深井中。
電子顯微鏡下D600 CMOS的微透鏡
每一次微透鏡改進,對傳感器性能都能有不小的提升,佳能從500D到550D的升級文檔
曾經就描述過這一提升:
過去500D的傳感器中微透鏡之間是有間隙的,同時光路比較長使得光路只能覆蓋像素
點的中央區域(開口太小),效率極低;在550D中微透鏡間不再有間隙,光路也更短,覆
蓋了整個像素區域,入射光效率得到了大幅提升,直接剿滅了因為500D鬧得沸沸揚揚的“
像素提升會帶來畫質下降”的說法。
DXOmark的數據忠實的記錄了這一改進,500D因為像素大幅提升導致的發色數下降,
在550D/600D上得到了修正,高感光性能也著實提高了一檔,只是,動態范圍仍未改善。
同一時期,尼康相機傳感器由CCD轉向了CMOS,低端傳感器的工藝也從350納米時代推
進到了180納米。我們在對比尼康相機數據是驚奇的發現,半導體工藝的升級給尼康傳感
器的三大指標帶來了穩步提升,並且遠遠超過了佳能傳感器的表現,難道微透鏡不僅僅是
覆蓋率和開口大小的問題?
線寬決定成敗
徠卡今年發布了新一代Leica M旁軸數碼相機,在它的技術文檔中,我們也許已經觸
摸到本文的答案。
根據徠卡的技術文檔,我們發現傳統設計的微透鏡匯聚能力有限,斜射的光容易直接射到
非感光區域(上圖)。更嚴重的是,經過不正確的折射,光線還可能會射到管壁的電路上
造成反射,污染臨近像素,影響了色純,而色純直接影響了三大指標中色深和動態范圍。
需要指出的是,目前為止除了連刷存在感都懶得做的4/3係統,單反相機中不存在垂直入
射,尤其到了全副單反相機,反射光污染問題相當糟糕。
在Leica M身上,徠卡不惜成本的改進了微透鏡結構(上圖),增大了透鏡半徑,相當于
改淺了井深,無論斜射、直射都能到達該到達的區域,保證了Leica M的高畫質。
徠卡M的全畫幅傳感器,意法半導體110納米工藝的技術結晶
這一極端案例中,不可忽視的是半導體工藝的影響因素——Leica M的傳感器採用了
意法半導體的110納米工藝制作,對幾微米直徑微透鏡而言,使用500納米的刀還是110納
米的刀去雕琢,差距就顯現了——線寬越小、越精細的半導體工藝,越容易在低成本下做
出令人滿意的微透鏡,而微透鏡的好壞會直接影響傳感器最終性能表現,這就是尼康傳感
器暫時全面領先佳能的主因。
即使到了不惜工本的高端傳感器層面,佳能仍然只能在高感光性能上咬住尼康(高感光性
能主要依靠後處理算法實現,說白了就是拼相機處理器的性能)。幸好1DX的定位權重最
高的是高感光,佳能在1DX裏面塞進了兩顆DIGIC5+處理器和一顆DIGIC4,總算跟單處理器
的D4在高感光領域打成平手。而面對D800這種高像素高寬容度高畫質的怪物,佳能幹脆兩
手一攤——老子不跟你玩就是了。
佳能的工藝困境
佳能的半導體工藝是否已到了極限?650D的發布給出了答案:600D升級到650D,單個
像素大小沒有變化,仍然是4.2微米(1800萬像素的佳能APS傳感器像素直徑為4.2微米)
,佳能只是引入了類似于Nikon 1係列微單相機那樣的傳感器片上對焦模塊,但沒想到的
是,這一小小的改進帶來了災難性的後果,650D傳感器各項指標均有下降:
難得一見的倒退出現了,當初被人詬病的500D倒退好歹在高感光上還能維持,這回是全面
崩盤,更復雜的電路,更多的晶體管已經壓垮了佳能的工藝,4.2微米的像素大小幾乎成
了佳能的極限。另一方面,對手們去年已經鋪開了3.8微米像素的傳感器,所以,半導體
工藝已經像鬼一樣纏上了佳能。
那麼,佳能為啥不奮起直追,引入新的半導體工藝呢?對于巴黎統籌委員會內部的國家而
言,最新的半導體工藝和技術都是能擺在臺面上交易的商業問題。佳能只要肯花錢,肯定
可以買到最新最好的技術,來讓自己老舊的Fab煥發活力。但——問題就出在錢上。
成也蕭何敗也蕭何
前面我們已經提到,對于任何廠商而言,Fab都是一筆非常、非常、非常大的投資。
英特爾計劃于2013年在美國俄勒岡州建立名為Fab D1X的新晶圓廠,投資大約是60-80億美
元。而依照摩爾定律,半導體技術每天都在以恐怖的速度向前發展,一個嶄新Fab生命周
期大概也就是3-5年,即使相機傳感器領域的更新換代沒有這麼快,5-7年也肯定要淘汰。
英特爾在處理器市場幾乎只手遮天,它的Fab每年都有著持續、穩定的需求,可以保持滿
負荷運轉,所以英特爾可以放心大膽的擴建Fab。問題是:佳能能做到這一點嗎?佳能半
導體工廠的客戶只有一個——就是它自己。再看看如日中天的索尼半導體(佳能自家很多
低端相機的CMOS就來自索尼),看看虎視眈眈的Aptina、PANA,答案恐怕沒這麼簡單。
曾經的佳能靠自產自銷傳感器硬是挺過了競爭者的圍剿,1DS、300D、5D這些劃時代意義
的產品都直接歸功于這個功勳工廠,而今,它卻成了佳能的累贅。目前,老對頭尼康的相
機傳感器已經全線邁入180nm陣線,索尼甚至已經開始投產新一代90納米CMOS工藝,用于
最新的手機和便攜式相機傳感器制造。
有消息說佳能已經投產了180納米的新工藝,現在正在進行測試,希望這是真的。佳
能應該趕快將新工藝制造的傳感器投入到單反領域,沒有佳能的相機世界是無趣的。
老兵永遠不死,只會慢慢凋零,現在時間緊迫,佳能必須加快步伐,否則凋零的就是
佳能自己。
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佳能有這麼慘?
乾脆找台積電、聯電代工?
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