Ansys Maxwell建造非均勻背景磁場
各位好,想請教Ansys Maxwell高手
已知可以使用Tangential H Field邊界條件建造出均勻的背景磁場
那我現在想要建造一個隨著位置不同,有不同大小的非均勻背景磁場
請問Ansys Maxwell該怎麼建造非均勻背景磁場
謝謝大家
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