[情報] 三星電子量產速度提高7倍的DRAM
http://chinese.joins.com/big5/article.do?method=detail&art_id=146663
三星電子量產速度提高7倍的DRAM
孫海容 記者 2016.01.20 14:04
超高速DRAM使三星電子的半導體技術進一步得到進化。三星電子1月19日宣布正式開始比
現在的DRAM提速7倍的第二代“4GB HBM2 DRAM ”。
DRAM是協助計算機的大腦CPU在進行演算時寫入和抹除數據的設備，DRAM的數據處理速度
越高，電腦的性能也會得到相應提高。
三星電子計劃通過量產4GB HBM2應對高性能計算（HPC）、高性能顯卡等信息技術（IT）
設備的需求。
三星電子消息稱，這一新產品使用了在DRAM芯片上打穿5000多個小孔進行上下連接的硅通
孔（TSV）技術，與以往利用金線連接上下層的方式相比，數據通道更多，可以提高處理
速度。4GB HBM DRAM每秒可傳輸256GB信息，比同屬4GB級別的GDDR5處理數據的速度快7倍
。
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 111.240.158.48
※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Storage_Zone/M.1453306881.A.D9A.html
推
01/21 12:37, , 1F
01/21 12:37, 1F
→
01/21 12:37, , 2F
01/21 12:37, 2F
Storage_Zone 近期熱門文章
PTT數位生活區 即時熱門文章