[情報] TLC 也會有 V-NAND 版:850 Evo 要來了

看板Storage_Zone (儲存裝置)作者 (該不會)時間11年前 (2014/07/09 15:16), 編輯推噓1(109)
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[link] http://www.xfastest.com/thread-138241-1-1.html 三星的 V-NAND 隨著 850 Pro 的發布開始正式進入消費級市場 目前的 V-NAND 是第二代,最大 32 層堆疊 NAND 基礎還是 40nm 製程的 MLC 快閃記憶體 測試得出的 P/E 次數達到了 6000 次,可靠性還不錯 在先前三星的 SSD 全球會議上 Techreport 得知三星有計劃推出 3bit V-NAND 只不過三星在透露消息方面一貫很小氣,就是不肯說具體細節 不過 TR 表示在第二代 V-NAND 發布會上 三星提到了今年底會推出容量密度更高的硬碟 或許指的就是這個 TLC 版的 V- NAND 快閃記憶體 具體命名也不確定 不過按照慣例可能會用 850 或者 850 EVO 這樣的名字 -- ▄▄▄ ▄▄▄▄▄▄ ▄▄▄▄ ▄▄ ▄▄▄▄▄▄▄ ▄ ▄ ▄▄▄ ▄▄ くっくっくっ.... -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 36.231.130.193 ※ 文章網址: http://www.ptt.cc/bbs/Storage_Zone/M.1404890162.A.A7C.html

07/09 21:15, , 1F
SLC的教徒 應該對這款不會有興趣吧!!
07/09 21:15, 1F

07/09 23:46, , 2F
T > S ......Z > B
07/09 23:46, 2F

07/10 00:35, , 3F
TLC不是寫入很慢嗎?
07/10 00:35, 3F

07/10 11:22, , 4F
寫入慢又如何? MLC 寫入也是比 SLC 慢.....
07/10 11:22, 4F

07/10 16:54, , 5F
可是TLC跟MLC/SLC在寫入的時候方法不一樣
07/10 16:54, 5F

07/10 17:08, , 6F
其實我之前聽說能取代Flash技術的東西已經快完成了?
07/10 17:08, 6F

07/10 17:16, , 7F
TLC的1000次寫入壽命上限 有人有興趣??
07/10 17:16, 7F

07/10 18:03, , 8F
多送兩顆 Cell 當備援應該就夠了....
07/10 18:03, 8F

07/10 18:09, , 9F
不過這種TLC壽命算法應該也比之前高吧
07/10 18:09, 9F

07/10 18:10, , 10F
floating gate跟charge trapping材料完全不一樣
07/10 18:10, 10F
文章代碼(AID): #1JlEmofy (Storage_Zone)
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