[情報] 三星30nm 2G LPDDR3及128G NAND模組量產

看板Storage_Zone (儲存裝置)作者jack089452 (該不會)時間13年前 (2012/09/19 18:51)推噓1(1推 0噓 1→)

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[link] http://www.xfastest.com/thread-84410-1-1.html 在使用 30nm 級別工藝量產 2GB LPDDR2 記憶體模組的一年之後三星開始了 30nm 級別工藝 2GB LPDDR3 記憶體模組的量產這款 LPDDR3 記憶體模組的工作頻率為 1600MHz 比同級別工藝 LPDDR2 模組還要快 50% 理論資料傳輸速率可達 12.8GB/s，非常適合用在智慧手機或平板電腦等移動設備上這款記憶體模組是通過 4 塊 4Gb LPDDR3 記憶體晶片封裝而成，總容量為 2GB 雖然傳統 PC 例如桌上型電腦和筆記型電腦等產品作用不大但是對智慧手機和平板電腦來說就非常有用意味著只需一塊晶片即可提供 2GB 的記憶體從現有的發展趨勢來說，智慧手機和平板電腦的記憶體容量很快就會達到 2GB 的水準除此之外，三星亦開始量產 128GB 的 NAND 快閃記憶體模組同樣使用 30nm 級別工藝並通過多晶片封裝而成主要針對的仍然是智慧手機與平板電腦領域縱觀目前整個移動設備領域，特別是智慧手機與平板電腦領域只有部分旗艦級產品會提供 64GB 的內置存儲空間，能配置更高容量的產品基本不存在三星這次量產 128GB NAND 快閃記憶體模組則為未來的新旗艦打下了“超大容量”的基礎既然三星已經量產 30nm 級別 2GB LPDDR3 記憶體模組和 128GB NAND 快閃記憶體模組那麼預計在 MWC 2013 大會上露面的 Galaxy S IV 手機是不是會具備 2GB 記憶體和 128GB 的存儲容量呢？ ====================================================================== 2G RAM 內建 128G...恩.... -- ~宅男的四個徵兆~ ∠□ ○ ！ * \○/ ★ 　　 (○ ？ ╦╦└□ " ○□═ □ 　　□> ║║√√ ╦══╦ ∥ 　　|\ 一回家就上PTT 每天想正妹以當好人為樂忘記正妹虧欠自己 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 1.168.196.246 ※ jack089452:轉錄至看板 MobileComm 09/19 18:51