[情報] 美光宣布量產45nm PCM相變快閃記憶體
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MaximumPC 報導稱，美光使用 45nm 製程成功量產 1Gb PCM 快閃記憶體
工作電壓為標準的 1.8V
實際上是由 1Gb 容量的 PCM 快閃記憶體和 512Mb 的低功耗 DDR2 快閃記憶體組成
美光希望初期的產品用於 Feature Phone 中
因為目前製造出的 PCM 容量還比較低，未來的 PCM 產品有望用於智慧手機和平板中
PCM 快閃記憶體是以 bit 為單位進行單元擦除
這與 NAND 快閃記憶體以 block 區塊為單位擦除有明顯不同，因此擦除速度更快
美光的 F&Q 頁面上表示 PCM 隨機讀取速度有 400MB/s，這還只是第一代產品的性能
與 NAND 快閃記憶體一樣，PCM 也存在寫入次數限制
不過 PCM 的特性就是每個 cell 單元都可以存儲多位元 bit
因此 PCM 的可靠性理論上高於 NAND，美光生產的 PCM 快閃記憶體寫入次數高達 10 萬次
堪比 SLC 快閃記憶體
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