Re: [請益] PChome上兩款TDK Trans-it mini 8G有差 …

看板Storage_Zone (儲存裝置)作者riderider (來...)時間16年前 (2008/08/26 01:09)推噓18(18推 0噓 12→)

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※ 引述《airpet (呸呸呸:])》之銘言： : 前文吃吃吃光光!! : 前幾天看到版上推薦的這支C/P值很高的隨身碟 : 看著好久之前的512mb的隨身碟心想也該讓他退休了XD : 上個禮拜馬上上PCHOME訂了TDK 8G的這支! : 而且原價666元還用信用卡紅利抵掉了120元 \(╯▽╰)∕ : 而且隔天早上八點多就收到了 : 經過測試後! : 數據有圖有真相! : http://0rz.tw/134F4 : 奇怪的是我測出來的數據比前面幾位大大好像還高一點XD : 大約是寫18mb/sec 讀32mb/sec : 總之感覺就是太划算啦!! : 唯一的小缺點就是外觀了啦! ╮(﹋﹏﹌)╭ : 總之啊! 這支隨身碟真的很適合對外觀不是很要求的人喔!! 當隱性板友很久，在此板受益良多，碰巧對這個東西有點熟，來獻醜一下，在盡量避免涉及專業術語的前提下，說明為啥讀取速度會不穩定... 對於大部分的使用者來說，Flash Disk是種有點像是硬碟的東西。不像硬碟，有穩定的讀取和寫入速度，但卻不怕震動，也不需要任何的機械結構，和硬碟相同的是，它們都可以在失去電源時保存資料。然而，Flash Disk和硬碟在存取行為上，有著一個很大很大的差別... 今天，你開啟了一份文件，做了修改，然後再回存。對於硬碟來說，就是從某個地方讀了筆資料，在修改之後，存回硬碟同樣的地方。但對於Flash Disk來說，卻是從某個A區域讀出資料，在修改後，把A區域標為"Invalid"(可以想是：標記A區域"死"了)，然後將修改後的資料寫到另一個B區域。也就是說，並非"回存"於同樣的地方。這主要是因為，Flash的"寫入"，只能把某個bit由0變1，或是只能把某個bit由1變0。以某個只能把bit由0變1的Flash為例，當Flash要寫入資料時，需要找到一塊全部都是0的區域，再依照要寫入的資料內容，把某些bits"寫"成1。不過如同大家所知的， Flash不是可以重複寫入嗎？那些Invalid，"死"掉的區域怎麼辦？直接把那塊區域清空，在寫回去，不是很簡單嗎？這部分則牽涉到了Flash Disk的結構... 一塊Flash Memory，可以切分成數百個Blocks，每個Block包含一定數量的Pages。每個Page可以單獨被直行"寫入"的動作，並可被標記成"Blank"(空白)、"Valid"或"Invalid"。 "Blank"代表可以被執行"寫入"的Page， "Valid"代表存有有用資料的Page， "Invalid"代表因為資料修改或刪除，已經沒用的Page。一個新的隨身碟，所有的Page都是"Blank"，可以快速的不斷寫入。但隨著長時間的使用，"Blank"的pages會愈來愈少， "Invalid"的pages愈來愈多，到最後根本沒有"Blank"的pages可用。此時，便需要做Erase的動作。 Erase會把一個Block內所有的pages都做清乾淨，讓這些pages都變回"Blank"的pages。但是，要被Erase的Block，裡面可能包含部分Pages是"Valid"的，存有有用的資料，如果被清掉就沒了。所以，一個要被Erase的Block，必須先把所有包含的"Valid" pages寫到其他地方去，才能做Erase。想想看寫入時可能會發生的情形吧～也許運氣很好，有很多"Blank"的Pages可寫，則可快速寫入... 也許所剩的"Blank" pages不夠，要做Block Erase，如果恰巧有個Block包含的pages全部都是"Invalid"的，那也很簡單，把該Block直接Erase，然後得到一整個Block的"Blank" pages，來作寫入用；不過如果運氣不太好，要被Erase的Block有不少"Valid" pages，則還要做pages搬移，也就是一連串的寫入動作，才能開始Erase，Erase完成在正式執行要做的"寫入"... 從上面可發現... Flash Disk的寫入時間，是非常非常不穩定的！當然，要寫入哪個page，Erase時要選哪個Block，都有一些演算法的技巧可以去加強，不過一般來說還是有很大的不穩定性。至於為啥一次一定要Erase一個Block，而不能只Erase一個page，這和Flash Memory的整個結構以及控制訊號有關，便不多作介紹了。另外... Flash的先天限制，不論是多麼新多麼好的技術，都是適合讀取(有穩定速度)而不適合寫入。如果你的資料是要不斷更新的，像是寫程式，不斷的修改、存檔，請在硬碟上執行吧～每一次的Erase都是在減少Flash的壽命。現在的存取壽命，都是以能"正確存取"作為評估。但在仍能正確存取資料時，漏電流，每次寫入所需要的電壓和打電壓的次數都會增高，而和全新的Flash Disk有些效能和耗電量的差異... (相信有人有些經驗... MP3用久了以後，續航力愈來愈差，原以為是電池老化，但換了新電池卻沒有太大改善，這就是Flash Gate的"老化") 而組電腦只用SSD也是種極端且不是很正確的做法。 SSD拿來作系統碟，大部分時間在讀取，對效能有正面效果沒錯。但若因為某些應用程式(Ex: PhotoShop)或是用途，常有大量寫入的動作，以Flash的特性實在不太合適。當然，如果因環境因素，有時SSD也是不得已的唯一選擇... 或者... 某日SSD實在太過便宜，可以讓大家豪不皺眉頭的抽換，那基於SSD的高效能，也是個合理的作法。不過... 我會更期待M-RAM... -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 123.195.216.160

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tamato9519

08/26 01:34, , 1^F

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coolcliff01

08/26 01:43, , 2^F

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wowside

08/26 02:06, , 3^F

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