[情報] 三星審慎面對記憶體退潮可能性
來源：朝鮮日報
韓 https://biz.chosun.com/it-science/ict/2026/03/13/
QP7UV67WYFH6JMWLUKJXKH3WOI/
英
只引用關鍵段落：
關鍵在於，美國的美光科技正在擴大其 DRAM 生產線，而日本的鎧俠和中國的長江儲存
則正在擴建其 NAND 快閃生產線。美光科技正在台灣、新加坡和美國擴建其 DRAM
生產線，自去年以來，該公司一直在大規模訂購設備以提高其 HBM 產能。考慮到建造
一條生產線通常需要兩年左右的時間，包括三星電子、SK 海力士和美光科技在內的
所有記憶體公司，都將從 2028 年開始迎來產能的顯著提升。
一些預測表明，按照目前的速度，NAND 快閃記憶體的供應過剩可能會比 DRAM 更快出現
。 DRAM 市場由三星電子、SK 海力士和美光科技主導，而 NAND 快閃記憶體市場不僅有
這三家公司，還有鎧俠和中國長江儲存等企業也不斷提昇技術實力和產能，導致市場參與
者數量增加。因此，近年來 NAND 快閃記憶體的價格競爭日益激烈，迫使三星電子和 SK
海力士都蒙受損失。
我的看法是，如果只是字面解讀大概又會出現「記憶體又要跌回去了」「AI一定是泡沫
吧」這種結論
錯了，正因為接下來訂單已經大概都敲定了，所以三星的想法變相證實確定至少到2028
年才會有下一輪市場變革。本來是擔心下游AI會泡沫，所以三星先拿低階產能去補急單
HBM的缺口，結果現在收完兩年單證明AI有持續性，行情肯定會貴到2028
然後三星現在煩惱的是什麼？2028年後，到底是來自其他兩大的HBM會打掉我的獲利，
還是中國跟美光的NAND會打掉我的獲利？而應對戰略是緩緩，HBM那邊擴廠很貴等到
2028前再來考慮就好
從消費端來看的話就是手機、電腦和伺服器DRAM還是會繼續貴，但NAND因為大家又開始
狂增量，有機會提早讓儲存設備降下來
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「請給我一百個HAGGEN DAZS.」
「先生,我可先聲明,集滿一百個也不能實現任何願望的」
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