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[情報] 3D NAND原廠垂直單元效率對比，哪家儲存

看板PC_Shopping (個人電腦購買)作者時間4月前 (2024/06/19 16:23), 4月前編輯推噓19(21推 2噓 29→)
留言52則, 33人參與, 4月前最新討論串1/1
3D NAND原廠垂直單元效率對比，哪家儲存效率更高？ https://www.icsmart.cn/78902/ 近日市場研究機構Techinsights對於三星、SK海力士/Solidigm、美光、KIOXIA/WD、YMTC 的200層以上的3D NAND Flash進行了對比分析，發現三星的垂直單元效率 (VCE， vertical cell efficiency) 是最高的。 傳統的NAND快閃記憶體單元採用平面電晶體結構，包括控制柵極（Control Gate）和浮動 柵極（Float Gate）。通過向單元施加電壓，電子在浮動柵極中儲存和移除。 https://i.imgur.com/sCaegjK.jpg
多年來，供應商將平面 NAND 的單元尺寸從 120nm 縮小到 1xnm 節點，使容量增加了 100 倍。然而，當單元尺寸達到了 14nm 的極限，這意味著該技術不再可擴展，由此 NAND原廠紛紛轉向3D NAND，以實現超過 2D NAND 結構的資料密度，並能夠在更新一代的 技術節點上製造。 具體來說，平面 NAND 由帶有儲存單元的水平串組成。而在 3D NAND 中，儲存單元串被 拉伸、摺疊並以“U 形”結構垂直豎立。實際上，這些單元以垂直方式堆疊以縮放密度。 因此，3D NAND儲存單元有多個層級。 https://i.imgur.com/SPBso7E.jpg
3D NAND的層數描述了堆疊在一起的字線（Word Line）數量。在這些字線層上切出一個垂 直柱，柱子與每條字線的交點代表一個物理單元。也就是說，每個 3D NAND 儲存單元都 類似於一個微小的圓柱形結構。每個微小單元由中間的垂直通道和結構內部的電荷層組成 ，通過施加電壓，電子可以進出絕緣電荷儲存膜，然後讀取訊號。 平面 NAND 在每個節點上都減小了單元尺寸，而 3D NAND 則採用了更寬鬆的工藝，大約 在 30nm 到 50nm 之間。3D NAND 記憶體容量的擴展主要是通過新增垂直層來實現的，在 這種3D NAND結構中，單元密度會隨著堆疊中層數的增加而增加。然後，每隔一到兩年， 供應商就會從一代技術遷移到下一代技術。 根據研究資料顯示，供應商平均每代 3D NAND 都會增加 30% 至 50% 的層數。而每一代 新的晶片將會增加 10% 至 15% 的晶圓成本。這也使得NAND 的每bit成本能夠平均以每年 約20%幅度降低。 現在，超過200層的TLC NAND 產品已經逐漸成為主流，比如三星236層NAND 、SK 海力士 238層NAND、美光 232層NAND 、YMTC 232層NAND。此外還有一些接近200層的廠商，比如 鎧俠（KIOXIA）和西部資料的 112層/162層NAND 和 Solidigm 的 144層/ 192層 (FG) NAND。 https://i.imgur.com/OpFdFIK.jpg
△Techinsights從 SK 海力士 2TB SSD PC811 HFS002TEM9X152N (裝置： H25T3TDG8C-X682) 中提取了 SK 海力士 238L 512 Gb 3D NAND 晶片，該晶片尺寸為 34.56mm2 ，位密度為 14.81 Gb/mm2 。 談到 3D NAND 單元效率，垂直單元效率 (VCE，vertical cell efficiency) 對於 NAND 單元工藝、設計、整合和裝置操作而言非常重要。 隨著堆疊的總柵極數量的增加，單元 VC（vertical cell）孔高度也會增加。為了降低 VC 高度和縱橫比，其中一種方法是通過減少虛擬柵極（dummy gates）、通過柵極（ passing gates）和選擇柵極（select gates）的數量來提高垂直單元效率。垂直單元效 率可以用總柵極中active cell 的百分比來定義，也就是用active WL （Word Line）除 以整合的總柵極數來計算。垂直單元效率越高，工藝整合度越高，縱橫比越低，整體效率 越高。 https://i.imgur.com/z7w5Suh.jpg
https://i.imgur.com/HqPUK1Q.jpg
VCE可定義為活躍單元佔總柵極的比例，即Active WL 數量除以總整合柵極數量×100%。 例如，一個NAND串由Active WL、通道WL（含dummy WL）和選擇器（源極/漏極）組成。若 其包含96個Active WL和總計115個柵極，則VCE為83.5%，計算方法為96/115×100%。VCE 越高，對工藝整合越有利，能實現更低的縱橫比和更高的生產效率。 Techinsights發現，在多代 3D NAND 產品中，三星始終以最高的垂直單元效率領跑行業 。他們最新的多層V-NAND 在前幾代以高效著稱的基礎上，擁有令人印象深刻的垂直單元 效率。美光和YMTC也在其產品中展示了強勁的垂直單元效率資料，這反映出它們在減少虛 擬柵極、通過柵極和選擇柵極數量方面取得了顯著進步，從而最佳化了垂直單元效率。 https://i.imgur.com/hyM6iWx.jpg
△3D NAND 垂直單元效率趨勢 總結來看，三星每一代產品的VCE都是最高的，比如採用單層結構的128層是94.1%，176層 COP V-NAND是92.1%，236層2nd COP V-NAND是94.8% 。YMTC的232層Xtacking 3.0的VCE是 91.7%，美光232層是91%。KIOXIA 162層的VCE稍低一些，為88%。SK海力士238層共有259 個門，VCE為91.9%，仍然低於三星的236L。 ------------------------------------------------------------------------------ 看來3D NAND還是三星第一 3D NAND 200層以上的垂直單元效率三星94.8%第一斷層式領先 其他都是91%左右 KIOXIA(最高只有162層)最爛只有88% 三星今年4月時宣布量產第九代V-NAND 290層 計畫明年下半年推出第十代V-NAND 430層 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 118.166.206.179 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/PC_Shopping/M.1718785390.A.0F4.html
推
06/19 16:23, 4月前 , 1F
還以為是海力士
06/19 16:23, 1F
推
06/19 16:25, 4月前 , 2F
***以前是王者，但是後來太容易出問題了
06/19 16:25, 2F
→
06/19 16:25, 4月前 , 3F
就令人卻步
06/19 16:25, 3F
→
06/19 16:26, 4月前 , 4F
開快車 也容易撞車
06/19 16:26, 4F
推
06/19 16:27, 4月前 , 5F
中國遙遙領先
06/19 16:27, 5F
※ 編輯: madeinheaven (118.166.206.179 臺灣), 06/19/2024 16:28:57
推
06/19 16:29, 4月前 , 6F
也是這幾年最常翻車的
06/19 16:29, 6F
推
06/19 16:45, 4月前 , 7F
三星NAND還算穩，DRAM就輸慘了
06/19 16:45, 7F
→
06/19 17:15, 4月前 , 8F
0E冷筍，我還是買日本貨、美光光、
06/19 17:15, 8F
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06/19 17:15, 4月前 , 9F
閃屌產品好些。
06/19 17:15, 9F
推
06/19 17:33, 4月前 , 10F
看不懂 所以要買三星哪個型號XD
06/19 17:33, 10F
三星236層目前只有990 PRO 4TB
推
06/19 17:39, 4月前 , 11F
冷筍效率也遙遙領先
06/19 17:39, 11F
→
06/19 17:40, 4月前 , 12F
遙遙領先
06/19 17:40, 12F
※ 編輯: madeinheaven (118.166.206.179 臺灣), 06/19/2024 17:58:57
推
06/19 18:00, 4月前 , 13F
三星會0E跟冷筍還想買?
06/19 18:00, 13F
※ 編輯: madeinheaven (118.166.206.179 臺灣), 06/19/2024 18:03:33
推
06/19 18:12, 4月前 , 14F
SSD一樣垃圾，冷筍牌就PASS
06/19 18:12, 14F
→
06/19 18:31, 4月前 , 15F
買新聞，出貨文，炒股文
06/19 18:31, 15F
推
06/19 20:46, 4月前 , 16F
冷筍我pass給你買
06/19 20:46, 16F
推
06/19 20:48, 4月前 , 17F
0E留著自己慢慢買
06/19 20:48, 17F
推
06/19 20:52, 4月前 , 18F
技術多難無所謂，我只要穩定
06/19 20:52, 18F
推
06/19 20:52, 4月前 , 19F
YMTC這樣強
06/19 20:52, 19F
→
06/19 20:54, 4月前 , 20F
層數跟效率都是世界一流了，韓國危險
06/19 20:54, 20F
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06/19 21:01, 4月前 , 21F
當然是長江
06/19 21:01, 21F
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06/19 21:05, 4月前 , 22F
現在905p 1.5T新蛋299.99誰要看三星?
06/19 21:05, 22F
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06/19 21:06, 4月前 , 23F
真實良率到底多少 這麼多人壞掉出現0E
06/19 21:06, 23F
→
06/19 21:39, 4月前 , 24F
這東西沒有負面影響喔 我以為會比較熱之類的
06/19 21:39, 24F
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06/19 21:39, 4月前 , 25F
或者良率比較低(比較不耐電)之類的？
06/19 21:39, 25F
推
06/19 22:22, 4月前 , 26F
有屁用，還不是冷筍
06/19 22:22, 26F
→
06/19 22:38, 4月前 , 27F
原本以為對岸顆粒崛起能殺個血流成河逢
06/19 22:38, 27F
長江NAND的市占率很低的屬於Others 根本影響不了價格 https://i.imgur.com/wyRNGfL.jpg
https://i.imgur.com/tuCN7bG.jpg
→
06/19 22:38, 4月前 , 28F
留給有緣人
06/19 22:38, 28F
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06/19 22:38, 4月前 , 29F
低買進，結果還不是跟其他大廠一起賣那
06/19 22:38, 29F
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06/19 22:38, 4月前 , 30F
死豬價…
06/19 22:38, 30F
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06/19 22:59, 4月前 , 31F
SSD之前價格不是殺爛嗎
06/19 22:59, 31F
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06/19 23:00, 4月前 , 32F
一堆人在喊沒m.2插槽了
06/19 23:00, 32F
※ 編輯: madeinheaven (118.166.214.229 臺灣), 06/19/2024 23:36:29
推
06/20 00:17, 4月前 , 33F
原來美光NAND才10%上下 鎧俠都比他高
06/20 00:17, 33F
→
06/20 08:52, 4月前 , 34F
除非它不會0E才有用
06/20 08:52, 34F
推
06/20 10:16, 4月前 , 35F
三星v6 一堆問題
06/20 10:16, 35F
→
06/20 11:32, 4月前 , 36F
先推才不會被發現我看不懂
06/20 11:32, 36F
噓
06/20 12:47, 4月前 , 37F
Intel會說它最強,可是事實上...
06/20 12:47, 37F
推
06/20 13:40, 4月前 , 38F
到目前為止NAND確實就還無法跨過3D Xpoint
06/20 13:40, 38F
→
06/20 13:41, 4月前 , 39F
的障礙，如果不是3D Xpoint強那就是NAND太
06/20 13:41, 39F
→
06/20 13:42, 4月前 , 40F
廢，看哪種說法你聽起來比較順耳...
06/20 13:42, 40F
推
06/20 13:57, 4月前 , 41F
美光表現比想像中還差
06/20 13:57, 41F
→
06/20 19:03, 4月前 , 42F
美光那產品線亂搞 不意外
06/20 19:03, 42F
推
06/20 19:28, 4月前 , 43F
這篇掉了一堆術語 結論又推高嘲諷的三星
06/20 19:28, 43F
推
06/20 19:30, 4月前 , 44F
難怪被說出貨文KOL（key opinion liar)
06/20 19:30, 44F
→
06/20 19:48, 4月前 , 45F
冷筍這幾年 nand不太穩定的樣子
06/20 19:48, 45F
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06/20 21:11, 4月前 , 46F
爽爽爽鍊子掉太大了啦
06/20 21:11, 46F
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06/20 21:12, 4月前 , 47F
@Lemming 荷包空空，看到狂降真的可惜
06/20 21:12, 47F
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06/20 21:13, 4月前 , 48F
@balius I皇走太前面了，結果兩家NAND
06/20 21:13, 48F
→
06/20 21:13, 4月前 , 49F
鎧俠XL-Flash和三爽ZET後面都沒太多消息
06/20 21:13, 49F
推
06/20 21:33, 4月前 , 50F
3d xpoint太貴啦，這市場就是劣幣驅逐良
06/20 21:33, 50F
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06/20 21:33, 4月前 , 51F
幣
06/20 21:33, 51F
噓
06/21 19:39, 4月前 , 52F
0E
06/21 19:39, 52F
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