[情報] 三星已用GAAFET技術打造出SRAM芯片,預計
三星已用GAAFET技術打造出SRAM芯片,預計2022年用在3nm工藝上
https://www.expreview.com/78337.html
三星在去年年初就宣佈他們攻克了3nm工藝的關鍵技術GAAFET全環繞柵極晶體管工藝,預
計會在2022年正式推出這種工藝,目前關於此工藝的消息甚少,tomshardware報導說三星
在IEEE國際集成電路會議上,三星公佈了3GAE工藝的一些細節。
https://i.imgur.com/s19YA4c.jpg

GAAFET其實有兩種,一種是使用納米線作為電子晶體管鰭片的常見GAAFET,另外一種則是
以納米片形式出現的較厚鰭片的多橋通道場效應電子晶體管MBCFET。兩種都在柵極材料所
在側面上圍繞溝道區,納米線與納米片的實現方式很大程度上取決於設計,一般而言都用
GAAFET來描述兩者。
https://i.imgur.com/exfnXbE.jpg

GAAFET其實早在1988年就出現了,這種晶體管的結構使得設計人員可以通過調節晶體管通
道的寬度來精確地對其進行調諧,以實現高性能或低功耗。較寬的薄片可以在更高的功率
下實現更高的性能,而較薄/較窄的薄片可以降低功耗和性能。在FinFET上實現類似的設
計時,工程師必須使用額外的鰭來改善性能。但是在這種情況下,晶體管通道的“寬度”
只能增加一倍或兩倍,精度不是很好,有時效率很低。
https://i.imgur.com/oPKVA8F.jpg

三星表示,與7LPP工藝相比,3GAE工藝可在同樣功耗下讓性能提高30%,同樣頻率下能讓
功耗降低50%,晶體管密度最高可提高80%。
https://i.imgur.com/SzDihmg.jpg

三星展示了首個使用MBCFET技術的SRAM芯片,這個256Gb芯片的面積是56mm2,與現有芯片
相比這個用MBCFET技術的寫入電壓降低了230mV,可見MBCFET確實能讓降低功耗。
https://i.imgur.com/oB7WDEK.jpg

SRAM其實是比較簡單的芯片,目前還沒有見到三星能用這種技術生產複製芯片的能力,但
相信給些時間三星就能解決這問題,預計3nm MBCFET製程會在2022年投產。
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