[情報] 台積電確認3奈米製程時間與效能改進程度
https://ec.ltn.com.tw/article/breakingnews/3270640
魏哲家:台積電7、5奈米領先全球 3奈米明年試產
(節錄)
魏哲家進一步指出,今年18廠正加速5奈米的量產,台積電5奈米是業界目前最先進的製程
技術,跟7奈米相比,5奈米在速度上提升15%、功耗降低30%,邏輯密度可提升80%,5奈米
製程廣泛採用EUV微影技術,更加鞏固台積在先進製程的領導地位,公司計劃在2021年讓5
奈米的強化版技術進入量產,晶圓18廠是業界第1座生產5奈米的晶圓廠,也是全球最先進
的半導體晶圓廠。
談到業界關注的3奈米技術的進展。魏哲家說,這項製程具備創新的微縮特徵,跟上一代
速度可以提升15%,功耗可以降低30%,邏輯密度可以增加70%,3奈米預計於2021年進行試
產,2022下半年進入量產。同時,台積電也正在與客戶密切合作,定義3奈米之後下個主
要節點的規格進度。
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台積年度技術論壇從四月因疫情延遲,終於用線上舉辦方式進行
兩大亮點: 第一個是未來製程的進度與性能提升。3奈米製程的密度比預期的高,原先預
測是250MTr/mm2,上修到290MTr/mm2。但也是越來越難前進,7nm-->5nm是多80%密度,
5nm-->3nm是多70%密度。假設3nm-->2nm增加60-70%密度,那預計2024量產2nm的密度會是
480MTr/mm2,小勝Intel傳說中的5nm (~400MTr/mm2; 2026?)。
另外一個是把所有先進封裝 CoWoS、InFO-R、Chip on Wafer、Wafer on Wafer合起來,
統一命名叫做TSMC 3DFabric,這個動作應該是方便行銷,對抗三星兩個禮拜前宣布的
X-Cube。
目前tsmc.Samsung.Intel製程密度比較
tsmc 7nm DUV: 97MTr/mm2 (2017試產,2018量產)
Intel 10nm: 101MTr/mm2
tsmc 7nm+ EUV: 114MTr/mm2 (2018試產,2019量產)
Samsung 5LPE: 127MTr/mm2 (預計現在量產,據說延遲出包)
tsmc 5nm: 173MTr/mm2 (2019試產,2020量產)
Intel 7nm: ~200MTr/mm2 (號稱2022下半年-2023上半年debut)
tsmc 3nm: 290MTr/mm2 (2021試產,2022量產)
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