[新聞] IBM宣佈黑科技:新型鍺硅芯片性能可達當前「最強芯」四倍以上已回收
IBM宣佈黑科技:新型鍺硅芯片性能可達當前「最強芯」四倍以上
http://www.cnbeta.com/articles/409507.htm
IBM週四表示,該公司已經打造出了超密計算機芯片的可工作版本,其計算能力約為當前
最強芯片的四倍。公告稱,這是由IBM牽頭並投資了30億美元的紐約州公私合作夥伴、
GlobalFoundries、三星、以及設備供應商所共同實現的。半導體行業困頓在「每兩年晶
體管密度翻倍」的傳統步伐已有段時日,而作為幾十年來的行業領導者,英特爾近年來已
面臨技術上的挑戰。
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上圖為一塊7nm芯片晶片,其採用了摻鍺硅(而不是純硅)製成。
此外,科技界一直對芯片能否在14nm後跨過「摩爾定律」這道檻而有所懷疑,因為歷次迭
代都取決於以納秒級通斷電流的基本部件的最小尺寸,而目前,業界正在從14nm到10nm的
商用轉型。
芯片行業的每一次迭代,均可在50%的給定面積中部署一定量的電路。儘管IBM的新型芯片
仍處於研究階段,但它有望讓半導體行業的縮減之路至少延續到2018年。
該公司於週四表示,他們已經製作出了包含七個納米晶體管的樣品芯片,其採用了鍺硅材
料(而不是純硅)並取得了「分子大小的開關」(molecular-size switches)這一研究
進展。
這種新材料有望變得讓晶體管的通斷變得更快,同時功耗要求更低。而這種微尺寸的晶體
管也表明了業界迫切需要新的材料和新的製造技術,才能夠進一步地發展。
為了讓大家更深刻地認識到這七個納米晶體管的大小,IBM拿直徑約2.5nm的DNA鏈、以及
直徑約7500nm的紅細胞作為對比。該公司稱,其有望打造出包含超過200億晶體管的微處
理器。
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紐約州立大學納米科學與工程學院的Michael Liehr(上左)和IBM公司的Bala Haranand
正在檢查遍佈了新型芯片的晶圓。其目前尚未做好商業化生產的準備。
斯坦福大學電力工程系Robust Systems Group主任Subhashish Mitra表示:「我並不感到
驚訝,因為這符合路線圖上的預測,即使它有如夢幻」。
此外,儘管IBM已經擺脫了大部分的計算機半導體製造產能(GlobalFoundries於上週完成
了對IBM微電子部門的收購),但公告顯示,該公司仍有興趣支持國家高科技製造基地。
紐約州Seaford諮詢公司Envisioneering的總裁hard Doherty表示:「這使得IBM可以將自
己擺到『紳士賭徒』的位置上,而不是成為賽馬的主人。在這場競賽中,該公司仍佔有一
席之地」。
IBM現已將其最新技術授權給了包括GlobalFoundries在內的諸多製造商,並為博通(
Broadcom)、高通和AMD等公司代工新品,而半導體行業必須立即決定是否將賭注壓到IBM
的鍺硅技術上。
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IBM的7nm節點晶體管。
最後,業界還必須應對極紫外線(EUV)光刻在接近於原子尺寸時該如何轉型。此前,英特
爾表示有方法抵近7nm製程,不過該公司並未表示這一代芯片是否有可能到來。
IBM亦拒絕對「這項技術將於何時開始商業化生產」置評。台積電已在今年表示其計畫於
2017年開始試產7nm芯片,不過該公司並未向IBM一樣拿出原型芯片。
而新一代極紫外光刻設備能否滿足長曝光時間的要求,將成為高速製造業務的關鍵。因為
即使最輕微的震動,都會對光蝕刻線路造成破壞,所以業內不得不專門建造一座「絕對穩
定」的建築,以便將震動和設備隔絕開來。
IBM方面表示,財團現已看到使用極紫外光刻的商業製造業務上的一種途徑。該公司半導
體研究副總裁穆克什‧哈雷(Mukesh Khare)表示:
「迄今為止的演示都發生在研究實驗室裡,而不是一座生產工廠中。與業界計畫於下一年
引入的10nm技術相比,我們最終的目標是將電路尺寸再縮減上50%」。
[編譯自:NY Times]
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