[情報] SONY宣布開發出全新雙層晶體管路堆棧CMOS

看板MobileComm (行動通訊)作者BadGame (人生歡樂易忘卻執著痛苦)時間3年前 (2021/12/17 01:51)推噓8(8推 0噓 5→)

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https://www.sony-semicon.co.jp/e/news/2021/2021121601.html (專門爆料相機方面)八妹的新聞翻譯 https://m.weibo.cn/detail/4715006941991150 索尼全球首發*1雙層晶體管像素堆疊式CMOS圖像傳感器技術，飽和信號量*3約提升至2倍 *2，使動態範圍擴大並降低噪點。索尼半導體解決方案公司（下稱「索尼」）已成功開發出全球首創*1的雙層晶體管像素堆疊式CMOS圖像傳感器技術。傳統CMOS圖像傳感器的光電二極管和像素晶體管分佈在同一基片，而索尼的新技術將光電二極管和像素晶體管分離在不同的基片層。與傳統圖像傳感器相比，這一全新的結構使飽和信號量*3約提升至原來的2倍，擴大了動態範圍並降低噪點，從而顯著提高成像性能。採用新技術的像素結構，無論是在當前還是更小的像素尺寸下，都能保持或是提升像素現有的特性。 *1: 截至2021年12月16日發佈時間。 *2: 基於公司之前的圖像傳感器和應用新技術的索尼背照式CMOS圖像傳感器之間特性的比較（換算為1um），截至2021年12月16日發佈時間。 *3: 單個像素的最大電子存儲容量。索尼在2021年12月11日（星期六）開始的IEEE國際電子設備會議上宣佈了這一突破性技術（傳統的）堆疊式CMOS圖像傳感器的堆疊式結構中，背照式像素組成的像素芯片堆疊在邏輯芯片之上，而信號處理電路構成了邏輯芯片。在像素芯片內，用於將光轉換為電信號的光電二極管和用於控制信號的像素晶體管在同一基片層並列。在這樣的結構限制下，如何實現飽和信號量的最大化，對實現高動態範圍、高圖像質量的攝影具有重要作用。索尼開發出的全新結構是堆疊式CMOS圖像傳感器技術的一項進步。索尼使用專有的堆疊技術，將光電二極管和像素晶體管封裝在分離的基片上，一個堆疊在另一個上面。相比之下，在傳統的堆疊式CMOS圖像傳感器中，光電二極管和像素晶體管並排位於同一基片上。新的堆疊技術支持採用可以獨立優化光電二極管和像素晶體管層的架構，從而使飽和信號量相比於傳統圖像傳感器增加約一倍，進而擴大動態範圍。此外，因為傳輸門 (TRG) 以外的像素晶體管，包括復位晶體管 (RST)、選擇晶體管 (SEL) 和放大晶體管 (AMP)，都處於無光電二極管分佈這一層，所以放大晶體管（AMP）的尺寸可以增加。通過增加放大晶體管尺寸，索尼成功地大幅降低了夜間和其他昏暗場景下圖像容易產生的噪點問題。這項新技術使動態範圍擴大並降低了噪點，將避免在有明暗差（例如背光設置）的場景下曝光不足和過度曝光的問題，即使在光線不充足（例如室內、夜間）的場景下也能拍攝高質量低噪點的圖像。索尼將通過雙層晶體管像素技術致力於實現更高質量的成像，例如智能手機拍攝等。 https://wx4.sinaimg.cn/large/9083f7cbgy1gxfk6gjniej20yh0gon06.jpg

https://wx2.sinaimg.cn/large/9083f7cbgy1gxfk6gxvrwj210n0icgpd.jpg

他還提到索尼這玩意搞的0.7um相當於自家最新一代和隔壁ISOCELL 2.0的1.12um dp 舊構架這下麻中麻了。這像素設計確實有點學不懂然後三星那邊也弄出新產品 S5KXYB https://m.weibo.cn/detail/4715028991970276 S5KX(H)Y(N)B，100M像素，200M PD，50M四拜耳+50M黑白，1.0μm像元，全向雙核對焦， 14bit輸出，動態範圍100dB，暴打GN2和HP1。傳感器技術大爆發時間到了這應該已經有手機要用了，不知道是誰首發。SONY那個可能還要再等等 -- -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 114.32.163.169 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/MobileComm/M.1639677091.A.CD4.html